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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT48LC4M32B2F5-6：G。	-	RFQ	6500	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
MT46V32M4TG-75：d	-	RFQ	8843	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	750 PS	德拉姆	32m x 4	平行线	15ns
MT28F320J3FS-11 MET	-	RFQ	8071	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F320J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	-
MT35XL512ABA2G12-0SIT TR	-	RFQ	4539	微米技术公司	XCCELA™-MT35X	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA	MT35XL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT35XL512ABA2G12-0SITTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	XCCELA巴士	-
MT62F1G32D2DS-026 wt：b tr	22.8450	RFQ	1853年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-026WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT25QL128ABA8E14-0SIT	-	RFQ	9650	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT47H128M8SH-25E AAT：m	-	RFQ	6566	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,518	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT46H64M32LFCM-6 IT：Tr	-	RFQ	6052	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
mtfc8gamalgt-ait	-	RFQ	2998	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）			mtfc8	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MTFC8GAMALGT-AIT	过时的	8542.32.0071	152		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT29F2G08ABAGAH4-AIT：G	2.5267	RFQ	2047	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT：G。			1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
mtfc8glzdm-1m wt	-	RFQ	7366	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
EDF4432ACPE-GD-FD	-	RFQ	1010	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDF4432	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,520	800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
EDFP112A3PB-JD-FD	-	RFQ	1479年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT49H16M18SJ-25 IT：b tr	-	RFQ	7500	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
EDB8164B4PT-1DAT-FR	-	RFQ	4819	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB8164	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
mtfc8gamalna-ait es tr	-	RFQ	2333	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	mtfc8	闪存-NAND	-	100-TBGA（14x18）	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT58L128L32D1F-6	8.2200	RFQ	1583年	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT58L128L32	SRAM	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4Mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT53E512M64D4NW-053 wt：e tr	-	RFQ	6303	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53E512	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-					过时的	0000.00.0000	1,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT47H64M8CB-37E IT：b	-	RFQ	5980	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-FBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	267 MHz	易挥发的	512Mbit	500 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
JS28F00AP33TF	-	RFQ	4095	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F00AP33	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q4518329	3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	64m x 16	平行线	105ns
MT58L128L32P1F-10	7.5200	RFQ	256	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112	16.7100	RFQ	5444	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112			1
MT53B256M32D1NP-062 wt：c tr	-	RFQ	1546年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
N25Q128A13EF840F TR	-	RFQ	8622	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F512G08CKCBBH7-6R：b tr	-	RFQ	9539	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES：C TR	-	RFQ	2827	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT49H32M18CFM-18：b	-	RFQ	5500	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
EMB8132B4PM-DV-FD	-	RFQ	3325	微米技术公司	-	大部分	积极的				EMB8132				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,680
MT48V8M16LFB4-8：G。	-	RFQ	3883	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F128G08AUCBBH3-12IT：b tr	-	RFQ	3120	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²