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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD5F4GQ6UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYIGY 6.6500
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGR -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F1GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32enigr 1.0900
RFQ
 ECAD 871 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson （4x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ64ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq64etigy 0.8564
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25WQ64ETIGY 4,320 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ64ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENAGR 1.5582
RFQ
 ECAD 5729 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ64ENAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25Q32CTJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJGR -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DYIGR 3.9100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25F128FSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FSIGR 1.3198
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25F128FSIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GQ4UF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UF9IGR -
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-LGA（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD9FS2G6F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G6F2AMGI 4.7450
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS2G6F2AMGI 960 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 128m x 16 onfi 25ns
GD25UF64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64EQIGR 1.0390
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.14v〜1.26v 8-uson （4x4） - 1970-GD25UF64EQIGRTR 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD55LB01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBIRY 8.5364
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55LB01GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128RIGR 2.1300
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25Q40ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ETEGR 0.4101
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16分数 0.8200
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD55WR512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WR512MEYIGY 4.8228
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55WR 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55WR512MEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4ucyigr -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DVIGR -
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gm7ueyigy 3.2825
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GM7UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 7 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q64ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESJGR 0.8705
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q64ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25B32CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32CS2GR 0.9688
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32CS2GRTR 2,000 80 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD9FU1G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F3AMGI 2.5452
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU1G8F3AMGI 960
GD55T01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEB2RY 16.8378
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55T 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55T01GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25Q20CEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CEAGR 0.6080
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q20CEAGRTR 3,000 80 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20EIGR 0.2865
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WD20EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25R128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128 EWIGR 1.7152
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25R128WIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ64EY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EY2GR 1.3970
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LQ64EY2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F4GQ6REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6Reyigy 6.7830
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6Reyigy 4,800 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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