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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25F64FSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FSAGR 1.4939
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25F64FSAGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LF16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF16EEGR 0.7582
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LF16EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 5.5 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 100µs，4ms
GD9FU2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F3AMGI 4.5630
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU2G8F3AMGI 960 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 256m x 8 平行线 20NS
GD25LQ32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESAGR 1.0635
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ32ESAGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYJGR 3.0154
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5REYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD5F1GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEWIGY 2.0685
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LQ32ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Sigy 0.6261
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ32Sigy 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25B256EFIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b256 figigy 2.4461
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256排名 1,760 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25X512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEF2RR 12.9053
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25X512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25R64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64WIGR 1.2636
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25R64WIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIHR 3.9884
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5UEYIHRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25T512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEB2RY 8.1396
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25T512MEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD5F1GQ5UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEWIGR 1.4109
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENERGR 0.4242
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q80ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LB128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128Egrigr 1.4524
RFQ
 ECAD 4069 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB128EGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD9FS8G8E2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E2AMGI 14.9396
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS8G8E2AMGI 960 非易失性 8Gbit 22 ns 闪光 1G x 8 onfi 25ns
GD25LT256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256RIGR 3.2239
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT256EYIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD55T01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEB2RY 16.8378
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55T 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55T01GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25WQ128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128WIGY 1.3445
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ128WIGY 5,700 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ40CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CE2GR 0.6222
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ40CE2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25LB512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYJGR 5.6243
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512Meyjgrtr 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25T512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512Mebiry 5.1710
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25T512Mebiry 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511蛋白 4.1663
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD55LE511-渗透 5,700
GD25D40CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d40ctegr 0.3640
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D40CTEGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32WIGY 0.6760
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ32WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64 Fefigr 0.8641
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q64 Fefigrtr 1,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LR256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EWIGR 2.8079
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LR256WIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32WIGR 1.1100
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128RIGR 2.1300
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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