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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q80CEIGR | 0.6800 |  | 44 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
 | GD25Q80CTIGR | 0.6100 | | 30 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
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| GD25B512MEF2RR | 6.7701 | | 1028 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | - | 1970-GD25B512MEF2RRTR | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD9FU8G8E2AMGI | 14.3117 | | 9780 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FU8G8E2AMGI | 960 | 非易失性 | 8Gbit | 18 ns | 闪光 | 1G x 8 | onfi | 20NS | ||||||||
| GD25LF16EEGR | 0.7582 | | 5042 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25LF16EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 5.5 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 100µs，4ms | |||||||
 | GD25Q64 Coigr | 1.2300 | | 9 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LQ128 EWIGR | 2.3000 | | 3 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | ||
| GD25Q16CTJGR | - | | 1159 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
 | GD9FU1G8F2AMGI | 4.3100 | | 8723 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 48-TFSOP （0.173“，4.40mm宽度） | GD9FU1G8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 1970-1084 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | ||||||
| GD5F2GQ5Reyigy | 3.9138 | | 8997 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F2GQ5Reyigy | 4,800 | 80 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 11 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |||||||
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| GD5F2GQ5UEYIHY | 3.9235 | | 4314 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD5F2GQ5UEYIHY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25LQ128DSIG | 1.4585 | | 1215 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD25LQ32EEAGR | 1.2636 | | 3670 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25LQ32EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 100µs，4ms | |||||||
| GD25LD80CKIGR | 0.3676 | | 1652 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25LD80CKIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 8mbit | 12 ns | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 97µs，6ms | |||||||
| gd5f1gq4ufyigr | 4.8400 | | 13 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F1GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD25D05CTIGR | 0.3100 | | 17 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25D05 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||
| GD25LB128Egrigr | 1.4524 | | 4069 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25LB128EGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
 | GD25Q64CFIGR | 1.0164 | | 7769 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | GD25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD9FS1G8F3AMGI | 2.7082 | | 5884 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD9FS1G8F3AMGI | 960 | |||||||||||||||||||||
| GD25LQ32DSIGR | 1.0800 | | 46 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ32 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD25LQ16CSIG | 0.4195 | | 7089 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ16 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD5F1GQ5UEYJGR | 2.9324 | | 5226 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
 | GD25D05CKIGR | 0.2725 | | 6700 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25D05 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||
| GD5F1GQ5 | 2.4898 | | 9975 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5REYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
 | GD25Q20Coigr | - | | 7018 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | GD25Q20 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25F64FSAGR | 1.4939 | | 7244 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25F64FSAGRTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - |
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