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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25T512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEB2RY 8.1396
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25T512MEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD9FU2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F3AMGI 4.5630
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU2G8F3AMGI 960 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 256m x 8 平行线 20NS
GD25Q80CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CNIGR -
RFQ
 ECAD 3847 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson （4x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LB128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128Egrigr 1.4524
RFQ
 ECAD 4069 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB128EGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LE80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80SIGR 0.4077
RFQ
 ECAD 1722年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE80ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD20EK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20EK6IGR 0.3368
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20EK6IGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LB256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256FIRR 2.4606
RFQ
 ECAD 7001 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB256FIRRTR 1,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD5F1GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEWIGY 2.0685
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EKIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD40EKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD55LX01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEFIRR 18.7900
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 1,000 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25Q40ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ETJGR 0.3640
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY 4.5752
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512MEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128 EWIGR 2.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25WQ128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128WIGY 1.3445
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ128WIGY 5,700 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ32ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32etigy 0.6080
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ32ETIGY 4,320 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F2GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIHY 3.9235
RFQ
 ECAD 4314 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5UEYIHY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25B256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256FIRR 2.4461
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256FIRRTR 1,000 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIGR 0.6100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25F128FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FB2RY 2.2364
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25F128FB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F4GQ6UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYIGY 6.6500
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511蛋白 4.1663
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD55LE511-渗透 5,700
GD25LQ128DW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DW2GR 2.2408
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ128DW2GRTR 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25LB512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGR 4.6509
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512Meyigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25S512MDYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYEGR 6.0164
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25S 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25S512MDYEGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 512Mbit 7 ns 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.5ms
GD25X512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEF2RR 12.9053
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25X512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25LR256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256FIRR 2.8974
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LR256FIRRTR 1,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25WQ40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EGR 0.3676
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ40ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD55B02GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEBJRY 20.4750
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55B02GEBJRY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enegr 0.9545
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ32Enegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD55WR512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WR512MEYIGY 4.8228
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55WR 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55WR512MEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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