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GD25LF128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128EQIGR 1.4109
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 ECAD 5794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LF128EQIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55LT01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEB2RY 16.0875
RFQ
 ECAD 1948年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT01GEB2RY 4,800 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25B32CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32CS2GR 0.9688
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32CS2GRTR 2,000 80 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD25LQ255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255WIGY 2.1965
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ255Wigy 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25X512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512Mebary 11.2385
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 ECAD 2421 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25X512Mebary 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25LR512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512Mefiry 4.9631
RFQ
 ECAD 5294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LR512Mefiry 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ255EFJRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255FEFJRR 2.8683
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LQ255EFJRRTR 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25Q256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYJGR 2.7672
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 ECAD 6615 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q256EYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EEAGR 0.9688
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 ECAD 2887 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ16EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYJGR 2.9324
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 ECAD 5226 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25LE64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ETIGR 0.8045
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 ECAD 1377年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE64ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LX512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512Mefirr 6.7411
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 ECAD 5150 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LX512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25UF64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64EQIGR 1.0390
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 ECAD 6007 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.14v〜1.26v 8-uson （4x4） - 1970-GD25UF64EQIGRTR 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25B256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256FIRR 2.4461
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 ECAD 8258 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256FIRRTR 1,000 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LR256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EB2RY 4.2826
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LR256EB2RY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD5F2GQ5REYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYIHY 3.9138
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5REYIHY 4,800 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHR 2.3508
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EBIRY 2.2897
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q256EBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25B512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEF2RR 6.7701
RFQ
 ECAD 1028 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25B512MEF2RRTR 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LR256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256FIRR 2.8974
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 ECAD 4907 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LR256FIRRTR 1,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD9AU8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9AU8G8E3AMGI 14.6400
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 ECAD 3554 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9A 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9AU8G8E3AMGI 960 非易失性 8Gbit 18 ns 闪光 1G x 8 平行线 20NS
GD25LB512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEF2RR 7.0523
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 ECAD 3698 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LB512MEF2RRTR 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD9FS2G6F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G6F2AMGI 4.7450
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS2G6F2AMGI 960 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 128m x 16 onfi 25ns
GD25R128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128 EWIGR 1.7152
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25R128WIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FS2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs2g8f2algi 4.7455
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-fbga（9x11） 下载 1970-GD9FS2G8F2ALGI 2,100 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 256m x 8 onfi 25ns
GD25LQ32ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32etigy 0.6080
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ32ETIGY 4,320 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD9FS4G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3ALGI 7.0554
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FS4G8F3ALGI 2,100
GD25LT512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mebary 10.1346
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LT512Mebary 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LE16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16EIGR 0.5678
RFQ
 ECAD 4022 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE16Eigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LB512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEY2GY 7.1953
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LB512MEY2GY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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