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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | GD25LQ80CSIGR | - | | 6264 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ80 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
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| GD25LQ10分数 | - | | 1681年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LQ10 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
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 | GD25Q256DYIGR | 3.9100 | | 7 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25Q256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LQ64CSIGR | 1.4100 | | 19 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ64 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD25LR256EWIGR | 2.8079 | | 7360 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LR | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25LR256WIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 9 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 70µs，1.2ms | |||||||
| GD25LD05CTIGR | 0.2404 | | 1201 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LD05 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||
| GD25F64FWIGR | 0.9688 | | 5581 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25F64FWIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ80CSIG | 0.3752 | | 2893 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ80 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LQ128EQIGR | 1.3900 | | 5298 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25LQ128EQIGRTR | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | |||||||
| gd25wb256eyjgr | 2.9601 | | 2941 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25WB256EYJGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 7.5 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 300µs，8ms | |||||||
| GD25Q20CSIG | - | | 6991 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25Q20 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25Q32CTJGR | - | | 4890 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LQ40CE2GR | 0.6222 | | 2683 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25LQ40CE2GRTR | 3,000 | 90 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 80µs，3ms | |||||||
| GD25LR256EB2RY | 4.2826 | | 6794 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LR | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LR256EB2RY | 4,800 | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | |||||||||
| GD25VE20CSIG | 0.3045 | | 6545 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25VE20 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
 | GD5F2GQ4UF9IGR | - | | 4326 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-vlga裸露的垫子 | GD5F2GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-LGA（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD25LQ64enigr | 0.8986 | | 2770 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x4） | 下载 | 1970-GD25LQ64ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms |
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