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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ESIGR 0.3167
RFQ
 ECAD 5297 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD5F1GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gm7reyigy 2.1331
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GM7Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LQ255EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255YEGY 2.1699
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-gd25lq255555555 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25LE64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ETIGR 0.8045
RFQ
 ECAD 1377年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE64ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256Dyigr -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD9FU2G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F2AMGI 4.5630
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU2G8F2AMGI 960 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 256m x 8 onfi 20NS
GD25LQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR -
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ40 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128FIRR 1.4778
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LQ128 Efirrtr 1,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LQ64ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ESAGR 1.4385
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ESAGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIG 0.3686
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EEAGR 0.9688
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ16EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F4GQ6REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6Reyigy 6.7830
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6Reyigy 4,800 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIG 0.2885
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25VQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIGR -
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHR 2.3508
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD5F1GQ5UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEWIGR 1.4109
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25LQ64ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENJGR 1.0811
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ64ENJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD9FU1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu1g8f2dmgi 2.3296
RFQ
 ECAD 1747年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU1G8F2DMGI 960 非易失性 1Gbit 9 ns 闪光 128m x 8 onfi 12ns，600µs
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Sigr 1.3900
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64enigr 0.8986
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ64ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64CW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CW2GR 1.3970
RFQ
 ECAD 9623 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25Q64CW2GRTR 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD25D10CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ctegr 0.2929
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D10CTEGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 6 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD25Q16CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q16ctegr 1.2500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64WIGR 0.9126
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LB64WIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EIGR 0.4222
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WQ40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25WD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20ekigr 0.3167
RFQ
 ECAD 1678年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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