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GD9FS1G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F3AMGI 2.7082
RFQ
 ECAD 5884 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD9FS1G8F3AMGI 960
GD25WQ40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EGR 0.3676
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ40ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enegr 0.9545
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ32Enegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5 2.4898
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5REYIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD5F4GQ6UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYIGY 6.6500
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD55LX01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEB2RY 20.5352
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LX01GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LR128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128Egrigr 1.8135
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LR128EGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WQ64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64WIGR 0.8999
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ64EWIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25D20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CKIGR 0.3016
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25D20CKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64enigr 0.8986
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ64ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ255EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255YEGY 2.1699
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-gd25lq255555555 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25Q80ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ESJGR 0.4077
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LR128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128SIGR 1.6523
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LR128ESIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ64ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ESAGR 1.4385
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ESAGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CKIGR 0.3676
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD80CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25D10CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ctegr 0.2929
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D10CTEGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 6 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD25WB256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wb256eyjgr 2.9601
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WB256EYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 7.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 300µs，8ms
GD25B16ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b16es2gr 0.7090
RFQ
 ECAD 5594 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B16ES2GRTR 2,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd40etigr 0.3167
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WD40ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25F128FW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FW2GR 2.1627
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F128FW2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q40ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ETJGR 0.3640
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD55WR512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WR512MEYIGY 4.8228
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55WR 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55WR512MEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GQ5REWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REGR 2.4851
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5REGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q16ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETEGR 0.6552
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25F128FSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FSIGR 1.3198
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25F128FSIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ64ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENAGR 1.5582
RFQ
 ECAD 5729 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ64ENAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD55LE511MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEYIGY 4.3092
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD55LE511MEYIGY 4,800
GD25Q32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ENEGR 0.8705
RFQ
 ECAD 6144 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q32ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25B32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32WIGR 0.7134
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B32Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20Ekigr 0.3167
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD20EKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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