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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25VQ20CTIG | 0.2885 |  | 6283 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25VQ20 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | |||
 | GD25LB32Sigr | 0.6363 | | 2319 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LB32Eigrtr | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25F64FSIGR | 0.8424 | | 1873年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25F64FSIGRTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ64ENJGR | 1.0811 | | 2294 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x4） | 下载 | 1970-GD25LQ64ENJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25LQ40EIGR | 0.3818 | | 4285 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25LQ40EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25LQ20Cuigr | - | | 2134 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | GD25LQ20 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-uson（3x2） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD55LE511蛋白 | 4.1663 | | 2768 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD55LE511-渗透 | 5,700 | |||||||||||||||||||||
| GD25Q256EFJRR | 2.9266 | | 1659年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25Q256EFJRRTR | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
 | GD5F4GQ4RBYIGY | - | | 7820 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F4GQ4 | 闪存-NAND | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | ||||
| gd9fu4g8f3algi | 6.7226 | | 9481 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU4G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
 | GD25WD80CEIGR | 0.7100 | | 81 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25WD80 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
| GD25B32WIGR | 0.7134 | | 9009 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25B32Wigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
| GD5F4GQ6UEYIGY | 6.6500 | | 4052 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F4GQ6UEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |||||||
| GD25LQ32enigr | 1.0900 | | 871 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | GD25LQ32 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-uson （4x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | ||
| GD25LQ64ENAGR | 1.5582 | | 5729 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x4） | - | 1970-GD25LQ64ENAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 100µs，4ms | |||||||
| GD25LE16EIGR | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25LE16Eigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25LT512Mebary | 10.1346 | | 4484 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LT512Mebary | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ128DSIGR | 2.2000 | | 11 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD55LT01GEF2RR | 17.1434 | | 6424 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD55LT01GEF2RRTR | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | |||||||||
| GD25WQ128RIGR | 1.4385 | | 3490 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25WQ128EGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 8 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
| GD25VE20Ceigr | - | | 1534年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25VE20 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD5F1GQ4UEYIGY | - | | 6722 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F1GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD25LF128EQIGR | 1.4109 | | 5794 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25LF128EQIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25Q32移民 | 0.9400 | | 4 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | ||
| GD25Q40ETJGR | 0.3640 | | 9044 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25Q40ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs，4ms | |||||||
| GD25WD10CTIG | - | | 5574 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25WD10 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
| GD25LD80CSIG | - | | 1543年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LD80 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 50 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 60µs，6ms | |||
| GD55LT01GEB2RY | 16.0875 | | 1948年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55LT01GEB2RY | 4,800 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | |||||||||
| GD25LQ64EWAGR | 1.6045 | | 6739 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25LQ64EWAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 100µs，4ms | |||||||
| GD25WD40EK6IGR | 0.4077 | | 9951 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25WD40EK6IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 100µs，6ms |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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