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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | gd25b32enagr | 1.2215 |  | 9839 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（3x4） | - | 1970-GD25B32ENAGRTR | 3,000 | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| GD55LE511蛋白 | 4.1663 | | 2768 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD55LE511-渗透 | 5,700 | |||||||||||||||||||||
 | GD5F1GQ4RF9IGR | - | | 8267 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-vlga裸露的垫子 | GD5F1GQ4 | 闪存-NAND | 1.7V〜2V | 8-LGA（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD25LE16 SIGR | 0.5090 | | 7144 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LE16ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
 | GD25VQ80CTIG | - | | 5033 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25VQ80 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | |||
| GD25LQ255WIGY | 2.1965 | | 8546 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25LQ255Wigy | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | - | ||||||||
| GD25LB512Mefirr | 4.5486 | | 3154 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25LB512Mefirrtr | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25LB512MEYIGR | 4.6509 | | 1068 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25LB512Meyigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD55LE511MEYIGY | 4.3092 | | 8110 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD55LE511MEYIGY | 4,800 | |||||||||||||||||||||
| GD25LE16EIGR | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25LE16Eigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
 | GD25D10Ceigr | 0.2564 | | 9121 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25D10 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||
| GD25R64WIGR | 1.2636 | | 4714 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25R | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25R64WIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| GD25LT512Mebary | 10.1346 | | 4484 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LT512Mebary | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ128DSIGR | 2.2000 | | 11 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD55LT01GEF2RR | 17.1434 | | 6424 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD55LT01GEF2RRTR | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | |||||||||
| GD25WQ128RIGR | 1.4385 | | 3490 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25WQ128EGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 8 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
 | GD5F1GQ4UEYIGY | - | | 6722 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F1GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD25Q32移民 | 0.9400 | | 4 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | ||
| GD25Q40ETJGR | 0.3640 | | 9044 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25Q40ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs，4ms | |||||||
| GD25LF128EQIGR | 1.4109 | | 5794 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25LF128EQIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25WD10CTIG | - | | 5574 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25WD10 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
| GD25WD40EK6IGR | 0.4077 | | 9951 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25WD40EK6IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 100µs，6ms | |||||||
| GD25LQ64EWAGR | 1.6045 | | 6739 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25LQ64EWAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 100µs，4ms | |||||||
| GD5F1GQ5 | 2.3917 | | 8991 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5REWIGY | 5,700 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25LB512MEYJGR | 5.6243 | | 8663 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25LB512Meyjgrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25LD05CTIGR | 0.2404 | | 1201 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LD05 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||
| GD25B32WIGR | 0.7134 | | 9009 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25B32Wigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
| gd9fu4g8f3algi | 6.7226 | | 9481 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU4G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
| GD5F1GQ5UEWIGR | 1.4109 | | 8056 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
| GD55T01GEF2RR | 16.4782 | | 6100 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55T | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | - | 1970-GD55T01GEF2RRTR | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - |
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