SIC
close
参考图片 产品编号 定价(美元) 数量 ECAD 可用数量 重量(kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 其他名称 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期T - 单词,页面
GD25Q80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETEGR 0.4525
RFQ
ECAD 2591 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25Q 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 SPI -QUAD I/O 140µs,4ms
GD55WB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WB512MEYIGY 4.6816
RFQ
ECAD 4786 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD55WB 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD55WB512MEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 SPI -QUAD I/O -
GD25LQ64EWAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWAGR 1.6045
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) - 1970-GD25LQ64EWAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 100µs,4ms
GD25D80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CTIGR 0.2783
RFQ
ECAD 2411 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25D 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D80CTIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 SPI-双I/O 50µs,4ms
GD5F2GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gm7ueyigy 3.2825
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -NAND(SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F2GM7UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 7 ns 闪光 256m x 8 SPI -QUAD I/O,DTR 600µs
GD25Q256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256WIGY 2.2897
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25Q256WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 SPI -QUAD I/O -
GD25LT512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mefiry 5.7957
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为7.50mm) 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 16 sop - 1970-GD25LT512Mefiry 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR -
GD25Q64CW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CW2GR 1.3970
RFQ
ECAD 9623 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25Q 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) - 1970-GD25Q64CW2GRTR 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 SPI -QUAD I/O 60µs,4ms
GD5F1GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIGY 2.3296
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -NAND(SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F1GQ5UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR 600µs
GD55B01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEYIGY 8.8738
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD55B 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD55B01GEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR -
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64WIGR 0.9126
RFQ
ECAD 8288 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LB 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LB64Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LQ80CN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CN2GR 0.6818
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-UDFN裸露的垫子 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2.1V 8-uson(3x4) - 1970-GD25LQ80CN2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 SPI -QUAD I/O 80µs,3ms
GD25LQ16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16enigr 0.5939
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UDFN裸露的垫子 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2.1V 8-uson(3x4) 下载 1970-GD25LQ16enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LQ16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EWIGR 0.6115
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2.1V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LQ16EWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LT256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EY2GY 4.7723
RFQ
ECAD 2063 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) - 1970-GD25LT256EY2GY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR 140µs,2ms
GD9FU4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F3AMGI 7.0543
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFSOP(0.724英寸,宽度18.40mm) Flash -NAND(SLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 18 ns 闪光 512m x 8 onfi 20NS
GD25B32CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32CS2GR 0.9688
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25B 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.209英寸,宽度5.30mm) 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32CS2GRTR 2,000 80 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 SPI -QUAD I/O 60µs,4ms
GD25LQ255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq255wigy 2.1965
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LQ255Wigy 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI -
GD25Q40ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ETEGR 0.4101
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25Q 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 SPI -QUAD I/O 140µs,4ms
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0.5656
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25Q 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-XFDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 SPI -QUAD I/O 140µs,4ms
GD25LB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY 4.5752
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25LB512MEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR -
GD25LQ128DS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DS2GR 2.0015
RFQ
ECAD 7643 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.209英寸,宽度5.30mm) 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DS2GRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 2.4ms
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
ECAD 3861 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-XDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-uson(4x4) 下载 1970-GD25LQ32Eqegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 100µs,4ms
GD25LQ128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128FIRR 1.4778
RFQ
ECAD 3146 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LQ 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为7.50mm) 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 16 sop 下载 1970-GD25LQ128 efirrtr 1,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 SPI -QUAD I/O 60µs,2.4ms
GD25B128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EYIGY 1.2709
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25B128EYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 SPI -QUAD I/O 70µs,2.4ms
GD55LT01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEF2RR 17.1434
RFQ
ECAD 6424 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD55LT 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为7.50mm) 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 16 sop - 1970-GD55LT01GEF2RRTR 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR -
GD25WD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20ekigr 0.3167
RFQ
ECAD 1678年 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25WD 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-XFDFN暴露垫 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25WD20EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 SPI-双I/O 100µs,6ms
GD55LB01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBIRY 8.5364
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 24-TFBGA(6x8) 下载 1970-GD55LB01GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI,DTR 70µs,1.2ms
GD25LE80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le80sigr 0.4077
RFQ
ECAD 1722年 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD25LE 胶带和卷轴(TR) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.209英寸,宽度5.30mm) 闪存 - 或(SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE80ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 SPI -QUAD I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD9FU1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu1g8f2dmgi 2.3296
RFQ
ECAD 1747年 0.00000000 GigadeVice半导体(HK)有限公司 GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFSOP(0.724英寸,宽度18.40mm) Flash -NAND(SLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU1G8F2DMGI 960 非易失性 1Gbit 9 ns 闪光 128m x 8 onfi 12ns,600µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Daily average RFQ Volume

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Standard Product Unit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Worldwide Manufacturers

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    In-stock Warehouse