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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LT512Mebiry | 5.5993 |  | 5674 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LT512Mebiry | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | |||||
| gd9fu2g8f3algi | 4.5698 | | 4053 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-fbga（9x11） | 下载 | 1970-GD9FU2G8F3ALGI | 2,100 | 非易失性 | 2Gbit | 18 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 20NS | |||||
| gd9fu1g8f3algi | 2.4985 | | 3762 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU1G8F3ALGI | 2,100 | ||||||||||||||||||
| GD25LX512Mebiry | 6.3271 | | 6051 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LX | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LX512Mebiry | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi-八分之一，Dtr | - | |||||
| gd5f2gq5rfyigy | 4.1230 | | 2554 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD5F2GQ5RFYIGY | 4,800 | ||||||||||||||||||
| GD25B128 EWIGR | 2.1800 | | 6120 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | ||
| GD25Q64WIGY | 0.8112 | | 4020 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25Q64WIGY | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms |
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