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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD5F1GQ5REYIHY | 2.3962 |  | 9242 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5REYIHY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25LQ20CE2GR | 0.5678 | | 2925 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25LQ20CE2GRTR | 3,000 | 90 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 7 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 80µs，3ms | |||||||
| GD25Q20Ekigr | 0.3515 | | 4357 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25Q20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 7 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | |||||||
| GD25LE128迁移 | 2.1600 | | 5205 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||
| GD25LE32Sigr | 1.0600 | | 6350 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||
| GD25B128迁移 | 1.9700 | | 9374 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||
| GD25WQ64ETIGR | 1.4100 | | 8328 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||
| GD25LQ255555555 | 3.4600 | | 6269 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||
| GD25LQ32 4 | 1.0100 | | 6874 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||
| GD25LQ32Wigr | 1.1600 | | 7325 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||
| GD25LB512MEB2RY | 7.3283 | | 5552 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LB512MEB2RY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
 | GD25Q256DFIGR | 3.8200 | | 3 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | GD25Q256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25Q64CPIG | - | | 3785 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8 点点（0.260英寸，6.60mm） | GD25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25Q64Sigy | 0.6954 | | 2778 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25Q64Sigy | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
 | gd5f4gq4ubyigy | - | | 3566 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F4GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | ||||
| GD25LQ20EEAGR | 0.6080 | | 7088 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25LQ20EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 100µs，4ms | |||||||
| GD25LT256EB2RY | 4.4422 | | 7979 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LT256EB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 140µs，2ms | |||||||
 | GD25LD20 Coigr | 0.2885 | | 5405 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | GD25LD20 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 97µs，6ms | |||
| gd9fu2g8f3algi | 4.5698 | | 4053 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-fbga（9x11） | 下载 | 1970-GD9FU2G8F3ALGI | 2,100 | 非易失性 | 2Gbit | 18 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||||
| GD25Q64WIGY | 0.8112 | | 4020 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25Q64WIGY | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
| GD25Q128 EWRIGR | 2.1300 | | 17 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25Q128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | ||
| GD25WQ128EYIGY | 1.3445 | | 4020 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25WQ128EYIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 8 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
| GD25LX512Mebiry | 6.3271 | | 6051 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LX | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LX512Mebiry | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi-八分之一，Dtr | - | ||||||||
| GD55X01GEBIRY | 12.8478 | | 1606 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55X | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55X01GEBIRY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi-八分之一，Dtr | - | ||||||||
| GD25B128 EWIGR | 2.1800 | | 6120 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||
| gd9fu1g8f3algi | 2.4985 | | 3762 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU1G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
 | GD25Ve40Ctigr | - | | 2992 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25VE40 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD5F4GQ6UEIGR | 6.6560 | | 3321 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F4GQ6UEYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |||||||
| GD25D80CEIGR | 0.3368 | | 4688 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25D | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25D80CEIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||||||
| GD5F2GQ5UEZIGY | 4.1230 | | 4631 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | 下载 | 1970-GD5F2GQ5UEZIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs |
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