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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25D10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIG -
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD55LB01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEY2GY 13.4000
RFQ
 ECAD 3896 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD55LB01GEY2GY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD25D80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CEIGR 0.3368
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D80CEIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25WQ128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EQIGR 1.4385
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25WQ128EQIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25VQ20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CSIGR -
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD55LT01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEFIRR 11.1486
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD55LT01GEFIRRTR 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EIGR 0.3318
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LD40EEIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIG -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25D20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20 Ceigr 0.2636
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D20Ceigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LB64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64Sigr 0.8045
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LB64 ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CTIG -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LB128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128FIRR 1.4281
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB128FIRRTR 1,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80ESIGR 0.4368
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ80ESIGRTR 2,000 104 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD9FU4G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F2AMGI 7.0543
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU4G8F2AMGI 960 非易失性 4Gbit 18 ns 闪光 512m x 8 onfi 20NS
GD25F256FYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYIGR 2.3791
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F256FYIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q32ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ESJGR 0.7134
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q32ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25WQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32 4 0.6843
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ32ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25WD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CKIGR 0.4514
RFQ
 ECAD 3465 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD80CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25T512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEF2RR 8.3545
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25T512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25D40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CTIGR 0.2714
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D40CTIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q64CPIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CPIG -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8 点点（0.260英寸，6.60mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8点 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LE32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EEGR 1.0109
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20EEIGR 0.2783
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LD20EEIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25uf64sigy 0.9547
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25UF 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.14v〜1.26v 8-sop - 1970-GD25UF64Sigy 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIGR 0.3366
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25Q128EBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EBJRY 1.4997
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q128EBJRY 4,800 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25B256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EBIRY 2.3163
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25B256EBIRY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q80EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EEAGR 0.7134
RFQ
 ECAD 9852 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q80EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q80EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80WIGR 0.6700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128RIGR 1.3900
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LQ128eyigrtr 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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