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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LQ128ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128ESJGR 1.2408
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ128ESJGRTR 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25X512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25x512mebiry 6.2111
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25X512Mebiry 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25Q16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CEIGR 0.8900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD55X01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEBIRY 12.8478
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55X 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55X01GEBIRY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CKIGR 0.2929
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD10CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 1Mbit 12 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25LD20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20 Coigr 0.2885
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GD25LD20 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25D20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20Ekigr 0.2865
RFQ
 ECAD 1629年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25D20EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25VQ40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CSIG 0.3366
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25D80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CEIGR 0.3368
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D80CEIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25WQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ETIGR 1.4100
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64WIGY 0.8112
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25Q64WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25VE40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIGR -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE40 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q128ESEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128ESEGR 1.5907
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q128ESEGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32 4 1.0100
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F4GQ6REYJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYJGY 7.7273
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6Reyjgy 4,800 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25LQ64EW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EW2GR 1.3970
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ64EW2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ64EQAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQAGR 1.5582
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） - 1970-GD25LQ64EQAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEY2GY 3.6575
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEY2GY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EQIGR 0.8181
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25Q64EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25Q32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSIGR 1.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CKIGR 0.3318
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD20CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25LQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128RIGR 1.3900
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LQ128eyigrtr 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIG 0.2725
RFQ
 ECAD 1815年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LE80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80EIGR 0.4659
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE80EIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25B256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256Egrigr 2.3105
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B256EGRTR 3,000 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ128EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EBIRY 1.3845
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25LQ128EBIRY 4,800 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LQ40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq40etigr 0.3515
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ40ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LE128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EQEGR 1.9780
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LE128EQEGRTTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25WQ128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EQEGR 1.9478
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25WQ128EQEGRTTR 3,000 84 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25Q20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q20csigr -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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