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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25WQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80ESIGR 0.4368
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ80ESIGRTR 2,000 104 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD55B01GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEBJRY 10.7996
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55B01GEBJRY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25D20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20 Ceigr 0.2636
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D20Ceigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25VE20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIGR -
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GQ5REYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHY 2.3962
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REYIHY 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LB16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EWIGR 0.6261
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LB16EWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIGR 0.3366
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25Q32CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSIG 0.5324
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIGR 1.2800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q127CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CZIGY -
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD25R512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512Mefirr 4.9140
RFQ
 ECAD 1564年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25R512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4Ueigr -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIG -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25S512MDFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDFIGR 6.9300
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） GD25S512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256FIRR 2.4170
RFQ
 ECAD 6922 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q256 Efirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255555555 3.4600
RFQ
 ECAD 6269 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25VQ20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CSIG 0.2885
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25D05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CTIG -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q128EBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EBJRY 1.4997
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q128EBJRY 4,800 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD9FU2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu2g8f2algi 4.5698
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-fbga（9x11） 下载 1970-GD9FU2G8F2ALGI 2,100 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 256m x 8 onfi 20NS
GD25B32ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ET2GR 0.9266
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32ET2GRTR 3,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ES2GR 0.9272
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ32ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ20CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CE2GR 0.5678
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ20CE2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25WD80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CTIGR 0.4195
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD80 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10分数 0.2725
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F4GM5RFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gm5rfyigy 6.2620
RFQ
 ECAD 1854年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD5F4GM5RFYIGY 4,800
GD25Q256EYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYEGR 3.2782
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q256EYEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q32ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ESJGR 0.7134
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q32ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20分数 0.3800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q32ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ETJGR 0.6989
RFQ
 ECAD 5631 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q32ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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