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GD9FU4G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F2AMGI 7.0543
RFQ
ECAD 7078 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU4G8F2AMGI 960 非易失性 4Gbit 18 ns 闪光 512m x 8 onfi 20NS
GD25B16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b16etigr 0.4666
RFQ
ECAD 2793 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25B16ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD55LB01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEY2GY 13.4000
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) - 1970-GD55LB01GEY2GY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 140µs,2ms
GD25LE255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255WIGR 2.2433
RFQ
ECAD 7791 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LE255Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LE64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64WIGR 0.8863
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) - 1970-GD25LE64WIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LB256EBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBARY 4.0400
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD25LB256EBARY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 140µs,3ms
GD25WQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16ETIGR 0.5387
RFQ
ECAD 1398 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ16ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 12 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs,4ms
GD25WQ32ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ESJGR 0.7989
RFQ
ECAD 2679 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ32ESJGRTR 2,000 84 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs,8ms
GD25B256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b256eyigy 2.2236
RFQ
ECAD 9901 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25B256EYIGY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LF128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128迁移 1.2681
RFQ
ECAD 7624 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LF128ESIGRTR 2,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25LQ32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEGR 0.9828
RFQ
ECAD 3824 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25LQ32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 100µs,4ms
GD25F64FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FS2GR 1.3198
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25F64FS2GRTR 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
GD25WQ80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80EGR 0.4242
RFQ
ECAD 3203 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ80ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs,4ms
GD25R64EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64Egrigr 1.2272
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25R 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25R64Eyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHY 2.3296
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD5F1GQ5UEYIHY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25B256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256Egrigr 2.3105
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25B256EGRTR 3,000 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25D20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20 Ceigr 0.2636
RFQ
ECAD 7400 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25D 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25D20Ceigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD9FU8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU8G8E3AMGI 14.7368
RFQ
ECAD 4073 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU8G8E3AMGI 960 非易失性 8Gbit 18 ns 闪光 1G x 8 onfi 20NS
GD25LQ40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq40etigr 0.3515
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ40ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
GD25Q128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128FIRR 1.3327
RFQ
ECAD 4318 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q128 FEFIRRTR 1,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25LQ128EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EBIRY 1.3845
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 1970-GD25LQ128EBIRY 4,800 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
GD55B01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEB2RY 2000年年1月13日
RFQ
ECAD 1887年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD55B01GEB2RY 8542.32.0071 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25WQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq20etigr 0.3515
RFQ
ECAD 4882 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ20ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 120µs,4ms
GD25Q128ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128ESJGR 1.3832
RFQ
ECAD 3159 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q128ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
GD9FS4G8F2ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2ALGJ 8.2869
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FS4G8F2ALGJ 2,100
GD55R512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55R512MEYIGY 4.6550
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 - 1970-GD55R512MEYIGY 4,800
GD25WQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32enigr 0.7582
RFQ
ECAD 3291 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(3x4) 下载 1970-GD25WQ32enigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs,4ms
GD25F64FW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FW2GR 1.5077
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) - 1970-GD25F64FW2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
GD25LF255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255 2.3508
RFQ
ECAD 3426 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LF255Wigrtr 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25Q80ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENJGR 0.5090
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x4) 下载 1970-GD25Q80ENJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库