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GD25X512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25x512mefirr 6.4724
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25X512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25B128ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128 Esigy 1.1590
RFQ
 ECAD 1482 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25B128Sigy 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25Q256EYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYEGR 3.2782
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q256EYEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD05CK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CK6IGR 0.3318
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD05CK6IGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 12 ns 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25Q40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40EIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25Q40EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LR64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR64SIGR 1.2215
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LR64ESIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ128DY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DY2GY 2.1331
RFQ
 ECAD 1815年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LQ128DY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25B512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b512meb2ry 6.7830
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 ECAD 1666年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25B512MEB2RY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQEGR 1.2917
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25WQ64EQegrtr 3,000 84 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25LD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EIGR 0.3318
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 ECAD 7225 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LD40EEIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25D20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20分数 0.2262
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D20CTIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD9FS4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2ALGI 7.0554
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 ECAD 5974 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FS4G8F2ALGI 2,100
GD25Q256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256FIRR 2.4170
RFQ
 ECAD 6922 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q256 Efirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ENEGR 1.1317
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q64ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25B512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mefirr 4.4984
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B512Mefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25R512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512MEYIGR 4.5955
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25R512Meyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25F256FYAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYAGY 4.1496
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F256FYAGY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25uf64sigy 0.9547
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25UF 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.14v〜1.26v 8-sop - 1970-GD25UF64Sigy 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25T512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512Mefirr 5.2358
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25T512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25Q128ESEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128ESEGR 1.5907
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q128ESEGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LT512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GR 8.8525
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT512MEY2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q64EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EGR 0.8424
RFQ
 ECAD 6746 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55LB02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB02GEBIRY 18.2263
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55LB02GEBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25B512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mebiry 4.0905
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25B512Mebiry 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55LB01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEYIGY 8.5414
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD55LB01GEYIGY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD9FS2G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F2AMGI 4.7315
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS2G8F2AMGI 960 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 256m x 8 onfi 25ns
GD25LB128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128DSIGR 1.3619
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LB128DSIGRTR 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD5F4GM8UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEWIGR 6.0398
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F4GM8UEWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD5F1GQ5UEBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEBIGY 2.3917
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5UEBIGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD5F2GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEWIGY 3.5910
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F2GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 2Gbit 7 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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