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| GD25LE32EQIGR | 0.7301 | | 8523 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25LE32EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| gd25x512mefirr | 6.4724 | | 5139 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25X | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | - | 1970-GD25X512Mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi -octal I/o | - | ||||||||
| gd25uf64sigy | 0.9547 | | 4911 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25UF | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.14v〜1.26v | 8-sop | - | 1970-GD25UF64Sigy | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD5F4GM8UEWIGR | 6.0398 | | 8624 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD5F4GM8UEWIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 7 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
 | GD25Q127CFIG | 1.3303 | | 1874年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | GD25Q127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,640 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 12µs，2.4ms | |||
| GD25D80CSIGR | 0.2865 | | 7950 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25D | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25D80CSIGRTR | 2,000 | 100 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||||||
| GD25B32ET2GR | 0.9266 | | 8095 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B32ET2GRTR | 3,000 | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| gd9fu2g8f3algi | 4.5698 | | 4053 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-fbga（9x11） | 下载 | 1970-GD9FU2G8F3ALGI | 2,100 | 非易失性 | 2Gbit | 18 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||||
| GD25B256EBIRY | 2.3163 | | 1310 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | 下载 | 1970-GD25B256EBIRY | 4,800 | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| GD25LD11分数 | 0.2564 | | 6212 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LD10 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms |
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