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GD25F256FYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYIGR 2.3791
RFQ
ECAD 6103 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25F256FYIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EIGR 0.3619
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25WD40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs,6ms
GD5F2GQ5UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5ufyigr 3.9884
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 1970-GD5F2GQ5UFYIGRTR 3,000
GD25Q80EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EEAGR 0.7134
RFQ
ECAD 9852 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) - 1970-GD25Q80EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
GD25B32ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ET2GR 0.9266
RFQ
ECAD 8095 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32ET2GRTR 3,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LB64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64enigr 0.9126
RFQ
ECAD 6403 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(3x4) 下载 1970-GD25LB64Enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25D80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CSIGR 0.2865
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25D 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D80CSIGRTR 2,000 100 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25LB512ME3IRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512ME3IRR 4.8056
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25LB512ME3IRRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD5F4GM8REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gm8reyigy 5.9850
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F4GM8Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25D40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40EIGR 0.3016
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25D 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25D40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25Q64EZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EZIGY 0.8923
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 1970-GD25Q64EZIGY 4,800 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25Q64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EQEGR 1.1653
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson (4x4) 下载 1970-GD25Q64EQEGRTTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
GD25LE32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EEGR 1.0109
RFQ
ECAD 5482 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25LE32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 100µs,4ms
GD25X512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25x512mefirr 6.4724
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25X 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25X512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25B128ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128 Esigy 1.1590
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25B128Sigy 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25Q256EYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYEGR 3.2782
RFQ
ECAD 9825 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25Q256EYEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD05CK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CK6IGR 0.3318
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25WD05CK6IGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 12 ns 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs,6ms
GD25Q40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40EIGR 0.3619
RFQ
ECAD 9407 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25Q40EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD25LR64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR64SIGR 1.2215
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LR 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LR64ESIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ128DY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DY2GY 2.1331
RFQ
ECAD 1815年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) - 1970-GD25LQ128DY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 2.4ms
GD25B512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b512meb2ry 6.7830
RFQ
ECAD 1666年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD25B512MEB2RY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25WQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQEGR 1.2917
RFQ
ECAD 7123 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson (4x4) 下载 1970-GD25WQ64EQegrtr 3,000 84 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs,8ms
GD25LD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EIGR 0.3318
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25LD40EEIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs,6ms
GD25D20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20分数 0.2262
RFQ
ECAD 1994 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25D 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D20CTIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD9FS4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2ALGI 7.0554
RFQ
ECAD 5974 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FS4G8F2ALGI 2,100
GD25Q256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256FIRR 2.4170
RFQ
ECAD 6922 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q256 Efirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ENEGR 1.1317
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x4) 下载 1970-GD25Q64ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
GD25B512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mefirr 4.4984
RFQ
ECAD 3661 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B512Mefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25R512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512MEYIGR 4.5955
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25R 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25R512Meyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
GD25F256FYAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYAGY 4.1496
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25F256FYAGY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库