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GD25LE32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EEGR 1.0109
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIGR 0.3205
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25D40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40EIGR 0.3016
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LE32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32Sigr 1.0600
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EQEGR 1.1653
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25Q64EQEGRTTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LD80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CTIGR 0.3526
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25LE80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80EIGR 0.4659
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE80EIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F2GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEWIGY 3.5910
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F2GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 2Gbit 7 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LB256E3IRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256E3IRR 2.6281
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 48-WLCSP 下载 1970-GD25LB256E3IRRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LB256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EY2GY 3.4340
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LB256EY2GY 4,800 166 MHz 非易失性 256Mbit 5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD25LQ128DY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DY2GY 2.1331
RFQ
 ECAD 1815年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LQ128DY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25LD20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld20etigr 0.2343
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LD20ETIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25D20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20分数 0.2262
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D20CTIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25B32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b32es2gr 0.8999
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32ES2GRTR 2,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25D40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CTIGR 0.2714
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D40CTIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LF128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128迁移 1.2681
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LF128ESIGRTR 2,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55LB02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB02GEBIRY 18.2263
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55LB02GEBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ESIGR 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD5F1GQ5REYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHY 2.3962
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REYIHY 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIG -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25S512MDFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDFIGR 6.9300
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） GD25S512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25R512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512Mefirr 4.9140
RFQ
 ECAD 1564年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25R512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIGR 0.3366
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25Q64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIGR 1.2800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q32CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSIG 0.5324
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q127CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CZIGY -
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4Ueigr -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25VQ20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CSIG 0.2885
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LB16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EWIGR 0.6261
RFQ
 ECAD 1694年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LB16EWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CSIG 0.3045
RFQ
 ECAD 8907 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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