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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD25F256FYIGR | 2.3791 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25F | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25F256FYIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25WD40EIGR | 0.3619 | ![]() | 8680 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25WD40EEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 100µs,6ms | |
![]() | gd5f2gq5ufyigr | 3.9884 | ![]() | 4325 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 1970-GD5F2GQ5UFYIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | GD25Q80EEAGR | 0.7134 | ![]() | 9852 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | - | 1970-GD25Q80EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD25B32ET2GR | 0.9266 | ![]() | 8095 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B32ET2GRTR | 3,000 | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
![]() | GD25LB64enigr | 0.9126 | ![]() | 6403 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(3x4) | 下载 | 1970-GD25LB64Enigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25D80CSIGR | 0.2865 | ![]() | 7950 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25D80CSIGRTR | 2,000 | 100 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 50µs,4ms | |
![]() | GD25LB512ME3IRR | 4.8056 | ![]() | 4077 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25LB512ME3IRRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | gd5f4gm8reyigy | 5.9850 | ![]() | 2866 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD5F4GM8Reyigy | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | 600µs | |
![]() | GD25D40EIGR | 0.3016 | ![]() | 6462 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25D40EEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 50µs,4ms | |
![]() | GD25Q64EZIGY | 0.8923 | ![]() | 9870 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | 1970-GD25Q64EZIGY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs,2.4ms | |
![]() | GD25Q64EQEGR | 1.1653 | ![]() | 4464 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson (4x4) | 下载 | 1970-GD25Q64EQEGRTTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD25LE32EEGR | 1.0109 | ![]() | 5482 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25LE32EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 100µs,4ms | |
![]() | gd25x512mefirr | 6.4724 | ![]() | 5139 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | - | 1970-GD25X512Mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi -octal I/o | - | ||
![]() | GD25B128 Esigy | 1.1590 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25B128Sigy | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs,2.4ms | |
![]() | GD25Q256EYEGR | 3.2782 | ![]() | 9825 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25Q256EYEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25WD05CK6IGR | 0.3318 | ![]() | 2665 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25WD05CK6IGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 512kbit | 12 ns | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 55µs,6ms | |
![]() | GD25Q40EIGR | 0.3619 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25Q40EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs,2ms | |
![]() | GD25LR64SIGR | 1.2215 | ![]() | 1157 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LR | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LR64ESIGRTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25LQ128DY2GY | 2.1331 | ![]() | 1815年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25LQ128DY2GY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 2.4ms | |
![]() | gd25b512meb2ry | 6.7830 | ![]() | 1666年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD25B512MEB2RY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | GD25WQ64EQEGR | 1.2917 | ![]() | 7123 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson (4x4) | 下载 | 1970-GD25WQ64EQegrtr | 3,000 | 84 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 240µs,8ms | |
![]() | GD25LD40EIGR | 0.3318 | ![]() | 7225 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25LD40EEIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 12 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 100µs,6ms | |
![]() | GD25D20分数 | 0.2262 | ![]() | 1994 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25D20CTIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 50µs,4ms | |
![]() | GD9FS4G8F2ALGI | 7.0554 | ![]() | 5974 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FS4G8F2ALGI | 2,100 | |||||||||||||||
![]() | GD25Q256FIRR | 2.4170 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25Q256 Efirrtr | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25Q64ENEGR | 1.1317 | ![]() | 4773 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x4) | 下载 | 1970-GD25Q64ENEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD25B512Mefirr | 4.4984 | ![]() | 3661 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25B512Mefirrtr | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | GD25R512MEYIGR | 4.5955 | ![]() | 8077 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25R | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25R512Meyigrtr | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | - | ||
![]() | GD25F256FYAGY | 4.1496 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25F256FYAGY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - |
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