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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LE128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128迁移 2.1600
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD55LT01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEBIRY 10.8794
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT01GEBIRY 4,800 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD5F1GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4Ueigr -
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LT512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mebiry 5.5993
RFQ
 ECAD 5674 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LT512Mebiry 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q40CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CE2GR 0.5678
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q40CE2GRTR 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD25Q16CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTJG -
RFQ
 ECAD 7744 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CSIGR 0.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32enigr 0.7582
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25WQ32enigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25WQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16ETIGR 0.5387
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ16ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 12 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD5F4GQ4UBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4ubyigy -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25Q40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q40etigr 0.3076
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LB256EBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBARY 4.0400
RFQ
 ECAD 4974 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LB256EBARY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，3ms
GD25LE32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EEGR 1.0109
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIGR 0.3205
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD5F4GM8REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gm8reyigy 5.9850
RFQ
 ECAD 2866 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GM8Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25WD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CSIGR 0.3786
RFQ
 ECAD 5299 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WD80CSIGRTR 2,000 100 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25LB128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128DSIGR 1.3619
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LB128DSIGRTR 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CTIGR 0.4800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD40 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55T02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEB2RY 33.9815
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55T 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55T02GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD55LB01GEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEYIGR 9.0735
RFQ
 ECAD 1884年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD55LB01GEYIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25VQ32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ32分数 -
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ32 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LE16E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16E3IGR 0.6261
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wlcsp 下载 1970-GD25LE16E3IGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64CPIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CPIG -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8 点点（0.260英寸，6.60mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8点 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LE255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255WIGR 2.2433
RFQ
 ECAD 7791 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LE255Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LB64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64enigr 0.9126
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LB64Enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25uf64sigy 0.9547
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25UF 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.14v〜1.26v 8-sop - 1970-GD25UF64Sigy 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD5F4GM8UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEWIGR 6.0398
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F4GM8UEWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25D80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CSIGR 0.2865
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D80CSIGRTR 2,000 100 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q127CFIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIG 1.3303
RFQ
 ECAD 1874年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 5,640 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD25LQ05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ05CTIGR -
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ05 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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