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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD25Q64CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64czigy -
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q127CFIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIG 1.3303
RFQ
ECAD 1874年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 5,640 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25Q127CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CZIGY -
RFQ
ECAD 5410 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25LD10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD11分数 0.2564
RFQ
ECAD 6212 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LD10 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 55µs,6ms
GD25LD20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CTIGR 0.2725
RFQ
ECAD 9834 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LD20 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs,6ms
GD25LQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIG 0.2725
RFQ
ECAD 1815年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIGR 0.3205
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs,6ms
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIGR 0.3366
RFQ
ECAD 5737 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) GD25LD40 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs,6ms
GD25LD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CSIGR 0.3549
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs,6ms
GD25LD80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CTIGR 0.3526
RFQ
ECAD 6125 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs,6ms
GD25LD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CTIG -
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs,6ms
GD25LQ32DQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DQIGR -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25VQ20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CSIGR -
RFQ
ECAD 5754 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VQ20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CSIG 0.2885
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VE20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIGR -
RFQ
ECAD 6221 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0.3045
RFQ
ECAD 7104 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VQ40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CSIGR 0.4033
RFQ
ECAD 7327 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VQ40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CSIG 0.3366
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VE40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIGR -
RFQ
ECAD 1356 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VE40 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VE40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIG 0.3752
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VE40 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VQ80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CSIGR -
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ80 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25WD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CTIG -
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25WD80 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGY -
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F1GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD5F1GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4Ueigr -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4Ueigr -
RFQ
ECAD 9158 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD9FS1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2AMGI 3.2171
RFQ
ECAD 2836 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 表面安装 48-TFSOP (0.173“,4.40mm宽度) GD9FS1G8 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8
GD25VQ32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ32分数 -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VQ32 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LX256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EBIRY 5.4200
RFQ
ECAD 4742 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25LX256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi -octal I/o -
GD25LT256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EBIRY 3.1800
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25LT256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD5F4GQ6RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6RF9IGY -
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WLGA裸露的垫子 GD5F4GQ6 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1970-GD5F4GQ6RF9IGY 3A991B1A 8542.32.0071 300 80 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库