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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25F64FW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FW2GR 1.5077
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F64FW2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LF255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255 2.3508
RFQ
 ECAD 3426 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LF255Wigrtr 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32 4 0.6843
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ32ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LE80ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80ELIGR 0.4666
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16-wlcsp 下载 1970-GD25LE80ELIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F1GQ5UEBJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEBJGY 2.7537
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5UEBJGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LB16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16Sigr 0.5242
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 1970-GD25LB16ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LB128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128FIRR 1.4281
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB128FIRRTR 1,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WQ64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Sigy 0.8424
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ64Sigy 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25WD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CKIGR 0.4514
RFQ
 ECAD 3465 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD80CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25Q20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20Ekigr 0.3515
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25Q20EKIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25Q128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128 EWRIGR 2.1300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD5F2GQ5RFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5rfyigy 4.1230
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD5F2GQ5RFYIGY 4,800
GD9FU1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu1g8f3algi 2.4985
RFQ
 ECAD 3762 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU1G8F3ALGI 2,100
GD25WQ128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EYIGY 1.3445
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WQ128EYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25T512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEF2RR 8.3545
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25T512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD5F2GQ5UEBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEBIGY 3.9138
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5UEBIGY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25LT256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EB2RY 4.4422
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LT256EB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD25LD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20EEIGR 0.2783
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LD20EEIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25F256FYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYIGR 2.3791
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F256FYIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64WIGR 0.8863
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LE64WIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25R512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512MEYIGR 4.5955
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25R512Meyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EIGR 0.3318
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LD40EEIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD5F1GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7Wrewigy 2.2630
RFQ
 ECAD 3297 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GM7REWIGY 5,700 104 MHz 非易失性 1Gbit 9 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD5F1GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHY 2.3296
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEYIHY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25VQ40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CSIGR 0.4033
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LQ32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEGR 0.9828
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LF32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32EEGR 1.0109
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LF32EEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 5.5 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 100µs，4ms
GD25WQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq20etigr 0.3515
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ20ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25Q80ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENJGR 0.5090
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q80ENJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LQ80EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EEAGR 0.7363
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ80EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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