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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25VE16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CSIG -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64Sigy 0.6954
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q64Sigy 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEIGR 6.6560
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6UEYIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25LQ32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Wigr 1.1600
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LE128EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGR 1.7013
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LE128EWJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ32ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESJGR 0.7090
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ32ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LF32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32Sigr 0.6552
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LF32Eigrtr 2,000 166 MHz 非易失性 32Mbit 5.5 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 60µs，2.4ms
GD5F2GQ5UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEY2GY 6.1712
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5UEY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD55LT01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEFIRR 11.1486
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD55LT01GEFIRRTR 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WQ20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ20Eigr 0.3786
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WQ20Eigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq80etigr 0.3786
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ80ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F4GM8REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8WREWIGY 6.2510
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F4GM8REWIGY 5,700 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LF255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255555555 2.1993
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LF255 Esigrtr 2,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WD40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25Q80EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EEAGR 0.7134
RFQ
 ECAD 9852 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q80EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LB512ME3IRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512ME3IRR 4.8056
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LB512ME3IRRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q64EZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EZIGY 0.8923
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q64EZIGY 4,800 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25B128ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128 Esigy 1.1590
RFQ
 ECAD 1482 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25B128Sigy 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LR64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR64SIGR 1.2215
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LR64ESIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQEGR 1.2917
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25WQ64EQegrtr 3,000 84 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25Q64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ENEGR 1.1317
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q64ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25B512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mefirr 4.4984
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B512Mefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25F256FYAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYAGY 4.1496
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F256FYAGY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LT512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GR 8.8525
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT512MEY2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25B512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mebiry 4.0905
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25B512Mebiry 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25F64FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FS2GR 1.3198
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25F64FS2GRTR 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25R64EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64Egrigr 1.2272
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25R64Eyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FU8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU8G8E3AMGI 14.7368
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU8G8E3AMGI 960 非易失性 8Gbit 18 ns 闪光 1G x 8 onfi 20NS
GD55B01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEB2RY 2000年年1月13日
RFQ
 ECAD 1887年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55B01GEB2RY 8542.32.0071 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55R512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55R512MEYIGY 4.6550
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD55R512MEYIGY 4,800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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