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GD25WQ128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128WIGY 1.3445
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ128WIGY 5,700 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25D40CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d40ctegr 0.3640
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D40CTEGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD25WB256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wb256eyigy 2.2883
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WB256EYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 256Mbit 7.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 150µs，4ms
GD25WQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EIGR 0.4222
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WQ40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25F128FYAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FYAGY 1.8349
RFQ
 ECAD 5834 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F128FYAGY 4,800 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25D10CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ctegr 0.2929
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D10CTEGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 6 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD5F1GQ5REWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REGR 2.4851
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5REGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q16ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETEGR 0.6552
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD55LE511MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEYIGY 4.3092
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD55LE511MEYIGY 4,800
GD25LD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20Ekigr 0.3167
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD20EKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD55B01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEBIRY 8.4011
RFQ
 ECAD 3284 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55B01GEBIRY 8542.32.0071 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25B512MEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mebjry 5.2136
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25B512Mebjry 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETEGR 0.4525
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD55WB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WB512MEYIGY 4.6816
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55WB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55WB512MEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256WIGY 2.2897
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25Q256WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LT512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mefiry 5.7957
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LT512Mefiry 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q64CW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CW2GR 1.3970
RFQ
 ECAD 9623 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25Q64CW2GRTR 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD55B01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEYIGY 8.8738
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55B01GEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64WIGR 0.9126
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LB64WIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ80CN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CN2GR 0.6818
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ80CN2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25LQ16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16enigr 0.5939
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ16enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EWIGR 0.6115
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ16EWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LT256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EY2GY 4.7723
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT256EY2GY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD9FU4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F3AMGI 7.0543
RFQ
 ECAD 4103 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 18 ns 闪光 512m x 8 onfi 20NS
GD25LQ255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255WIGY 2.1965
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ255Wigy 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0.5656
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY 4.5752
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512MEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ128DS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DS2GR 2.0015
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DS2GRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ32Eqegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LQ128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128FIRR 1.4778
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LQ128 Efirrtr 1,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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