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GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32DLIGR -
RFQ
ECAD 4768 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 21-XFBGA,WLSCP GD25LE32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 21-wlcsp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ64CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CVIGR -
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ128DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSIG 1.4585
RFQ
ECAD 1215 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DVIGR -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIG 0.2885
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20Ceigr -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VE40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CTIG 0.3686
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VE40 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CSIG -
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ80 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CTIG -
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VQ80 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIGR -
RFQ
ECAD 9920 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
ECAD 3531 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VE32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CSIGR -
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VE32 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIG -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25WD05 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CTIG -
RFQ
ECAD 5574 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGY -
RFQ
ECAD 6722 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq4ufyigy -
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD5F2GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq4ufyigy -
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR -
RFQ
ECAD 8884 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGY -
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4ucyigr -
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25D05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CTIGR 0.3100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10Ceigr 0.2564
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIGR 0.6100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CEIGR 0.6800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16分数 0.8200
RFQ
ECAD 140 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ10分数 -
RFQ
ECAD 1681年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LQ10 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR -
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ40 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库