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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIG 0.5149
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25R64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64Sigr 1.1044
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25R64 Esigrtr 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25F256FBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FBIRY 2.3163
RFQ
 ECAD 1615年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25F256FBIRY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q32CHIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CHIGR -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-UFDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40Ceigr 0.3167
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D40CEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32分数 1.0100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIG 0.7583
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD5F2GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEIGR 3.9884
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q256EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWJGR 2.8771
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25Q256EWJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q64EBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64ebigy 0.8923
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q64EBIGY 4,800 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25VE16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CSIG -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG -
RFQ
 ECAD 4813 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25F256FW2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FW2GY 3.6402
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FW2GY 5,700 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25F128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128迁移 1.1590
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25F128ESIGRTR 2,000
GD25Q20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20Ceigr 0.5700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ32EN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EN2GR 1.1092
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ32EN2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q32CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CWIGR 0.8900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LB32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ES2GR 0.9968
RFQ
 ECAD 1616年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LB32ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q40CT2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CT2GR 0.4949
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25Q40CT2GRTR 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD55LT02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEBIRY 21.8652
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT02GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q127CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIGR 2.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CTIGR 0.4033
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD55LX02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEBIRY 26.2542
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LX 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LX02GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD55T02GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEBARY 39.0754
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55T 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55T02GEBARY 4,800 200 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LE128EWJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGY 1.5901
RFQ
 ECAD 1919年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LE128EWJGY 5,700 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25B16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEAGR 0.8845
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25B16EEAGRTR 3,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld80etigy 0.3167
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LD80ETIGY 4,320 50 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD55X01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEFIRR 13.2372
RFQ
 ECAD 1651年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD55X01GEFIRRTR 1,000 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05天才 0.2404
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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