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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | GD25LQ20 ESIGR | 0.3167 | ![]() | 4317 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LQ20 Esigrtr | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD5F2GQ5UEIGR | 3.9884 | ![]() | 8461 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |
![]() | GD9FS4G8F2AMGI | 6.9852 | ![]() | 1155 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS4G8F2AMGI | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 22 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | ![]() | 8654 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS4G8F3AMGI | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 22 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | GD55F512MFWIGR | 4.3329 | ![]() | 5638 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 1970-GD55F512MFWIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | GD25Q128EYJGR | 1.4911 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25Q128EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD25LQ20Ekigr | 0.3786 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25LE128EWJGY | 1.5901 | ![]() | 1919年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25LE128EWJGY | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25B16EEAGR | 0.8845 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | - | 1970-GD25B16EEAGRTR | 3,000 | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
![]() | GD55T01GEY2GR | 16.7580 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD55T01GEY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | - | ||
![]() | GD25F128迁移 | 1.1590 | ![]() | 6397 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 1970-GD25F128ESIGRTR | 2,000 | |||||||||||||||
![]() | GD25LQ256DWAGY | 4.2161 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | - | 1970-GD25LQ256DWAGY | 5,700 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 4ms | |
![]() | GD25LQ255EBIRY | 2.2364 | ![]() | 6673 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | 1970-GD25LQ255EBIRY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||
![]() | GD9FS2G8F3AMGI | 4.7315 | ![]() | 9084 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS2G8F3AMGI | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | GD25LQ16ETJGR | 0.6115 | ![]() | 2224 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LQ16ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | gd25le80etigr | 0.3959 | ![]() | 1385 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LE80ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25LR512MEYIGR | 5.0565 | ![]() | 9628 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LR | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25LR512Meyigrtr | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25B512MEYIGY | 4.2560 | ![]() | 2864 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25B512MEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | GD55LB01GEB2RY | 13.4000 | ![]() | 9389 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55磅 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD55LB01GEB2RY | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 6 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 140µs,2ms | |
![]() | gd25wr256eyigy | 2.6761 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WR | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25WR256Eyigy | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | gd25d40ekigr | 0.3318 | ![]() | 4259 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25D40EKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 50µs,4ms | |
![]() | GD25F256FBIRY | 2.3163 | ![]() | 1615年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD25F256FBIRY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25WQ16enigr | 0.6406 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(3x4) | 下载 | 1970-GD25WQ16ENIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 12 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs,4ms | |
![]() | GD25WQ64enigr | 0.8999 | ![]() | 8486 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(3x4) | 下载 | 1970-GD25WQ64Enigrtr | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs,4ms | |
![]() | GD55WB512MEYIGR | 4.6218 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55WB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD55WB512Meyigrtr | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25WQ64E3IGR | 0.9547 | ![]() | 5510 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 14-XFBGA,WLCSP | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 14-wlcsp | 下载 | 1970-GD25WQ64E3IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs,4ms | |
![]() | GD55LB01GEBARY | 16.3989 | ![]() | 9185 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55磅 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD55LB01GEBARY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 6 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 140µs,2ms | |
![]() | GD25LF32ENEGR | 0.9817 | ![]() | 9351 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(3x4) | 下载 | 1970-GD25LF32Enegrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 5.5 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 100µs,4ms | |
![]() | GD25WD40CKIGR | 0.3640 | ![]() | 5690 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25WD40CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 12 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 97µs,6ms | |
![]() | GD9FS2G8F3ALGI | 4.7455 | ![]() | 9598 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-fbga(9x11) | 下载 | 1970-GD9FS2G8F3ALGI | 2,100 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns |
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