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GD25B512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYIGR 4.3264
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512Meyigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55LT02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEB2RY 32.3250
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT02GEB2RY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EEIGR 0.6843
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25Q32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD5F1GQ5REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REY2GY 3.7639
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25T512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEYIGR 5.2458
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25T512Meyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LQ40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ESIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ40ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25Q16ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ENEGR 0.8143
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q16ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25B256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256FIRY 2.4461
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256Fifiry 1,760 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55B01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEY2GY 13.1250
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55B01GEY2GY 8542.32.0071 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CKIGR 0.2865
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD05CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 512kbit 12 ns 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD55LF511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LF511mewigr 4.3329
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD55LF511-Mewigrtr 3,000
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55X01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEFIRR 13.2372
RFQ
 ECAD 1651年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD55X01GEFIRRTR 1,000 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LT512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEB2RY 8.8046
RFQ
 ECAD 2037 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LT512MEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld80etigy 0.3167
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LD80ETIGY 4,320 50 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LQ80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EEIGR 0.4368
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ80EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD55LB01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEFIRR 9.2951
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD55LB01GEFIRRTR 1,000 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25B32EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32EEAGR 0.9968
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25B32EEAGRTR 3,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F4GM8UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEWIGY 6.1180
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F4GM8UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q20ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20ETJGR 0.3468
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q20ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LR128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128EGR 1.8258
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LR128WIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EGR 1.4385
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ128WIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25R64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64Sigr 1.1044
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25R64 Esigrtr 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ENEGR 1.2636
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LE64ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LB32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ES2GR 0.9968
RFQ
 ECAD 1616年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LB32ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F4GQ6REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REY2GY 10.6666
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F4GQ6REY2GY 4,800 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETJGR 0.5515
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD5F1GQ5REYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHR 2.4898
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REYIHRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LE40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le40etigr 0.3640
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE40ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25WD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CKIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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