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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20ETR 0.4500
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25B16CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CS2GR 0.7772
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B16CS2GRTR 2,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20Ceigr 0.5700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LE64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64 Esigy 0.8284
RFQ
 ECAD 5971 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE64 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CKIGR 0.3016
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD05CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 12 ns 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CVIGR -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE32 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gm7reyigy 3.6575
RFQ
 ECAD 6597 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GM7Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LQ40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40COIGR -
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GD25LQ40 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25B64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64SIGR 1.2300
RFQ
 ECAD 2886 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LF32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32ENEGR 0.9817
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LF32Enegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 5.5 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 100µs，4ms
GD25LQ20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ200EIGR 0.3515
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ20Eigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD55LT512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT512Webiry 5.4414
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT512Webiry 4,800 166 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 50µs，1.2ms
GD25LB512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512Mebiry 4.6550
RFQ
 ECAD 1734年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25LB512Mebiry 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIG 0.7583
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16LIGR 0.7052
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-XFBGA，WLCSP GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-wlcsp 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ32ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enagr 1.2776
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ32Enagrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25WQ64E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64E3IGR 0.9547
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 14-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 14-wlcsp 下载 1970-GD25WQ64E3IGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LF128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128EQEGR 1.9209
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LF128Eqegrtr 3,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LX256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EB2RY 5.3333
RFQ
 ECAD 1633年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LX256EB2RY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25Q64ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ETJGR 0.8705
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q64ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LE80CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le80cligr 0.4949
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-wlcsp 下载 1970-GD25LE80CLIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q32CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CZIGY -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ64ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ET2GY 1.2776
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ET2GY 4,320 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25Q40CT2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CT2GR 0.4949
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25Q40CT2GRTR 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
GD25B512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYIGY 4.2560
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512MEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64 Wigr 1.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LE128ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128ELIGR 1.4105
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16-wlcsp 下载 1970-GD25LE128ELIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25B16CSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CSAGR 0.9266
RFQ
 ECAD 2242 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B16CSAGRTR 2,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55X02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X02GEBIRY 25.9350
RFQ
 ECAD 2372 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55X 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55X02GEBIRY 4,800 200 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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