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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25WD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CKIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD55LB01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEB2RY 13.4000
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LB01GEB2RY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD55B02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEBIRY 16.9200
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55B02GEBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIGR 0.6100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q128EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYJGR 1.4911
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q128EYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80ESIGR 0.3786
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ80ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CKIGR 0.3167
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD10CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 12 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25S512MDBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY -
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25S512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256 Fefiry 2.3472
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q256 Fefiry 1,760 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LB32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ES2GR 0.9968
RFQ
 ECAD 1616年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LB32ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q40EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40EEAGR 0.6261
RFQ
 ECAD 7402 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q40EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CTIGR 0.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD5F1GQ5REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REY2GY 3.7639
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25B128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b128wigy 1.2342
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B128WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LT512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mefirr 5.6176
RFQ
 ECAD 8836 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LT512Mefirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD9FS4G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2AMGI 6.9852
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS4G8F2AMGI 960 非易失性 4Gbit 22 ns 闪光 512m x 8 onfi 25ns
GD25B32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESAGR 1.0363
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B32ESAGRTR 2,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LT02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEB2RY 32.3250
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT02GEB2RY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q127CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIG 1.2501
RFQ
 ECAD 4780 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD5F4GQ4UCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4ucyigy -
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25LQ05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ05CEIGR -
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ05 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EQEGR 1.8538
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ128EQEGRTTR 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 100µs，4ms
GD25LQ16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EIGR 0.5533
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ16EIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LE128EWJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGY 1.5901
RFQ
 ECAD 1919年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LE128EWJGY 5,700 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32 Eligr 0.7862
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wlcsp - 1970-GD25WQ32ELIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIG -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEIGR 0.4800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25VE40 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GQ5RFBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFBIGY 4.3225
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD5F2GQ5RFBIGY 4,800
GD55LB01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEFIRR 9.2951
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD55LB01GEFIRRTR 1,000 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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