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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0.5939
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25Q16EEJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CKIGR 0.2865
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD05CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 512kbit 12 ns 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD5F2GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYJGR 4.9238
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5REYJGRTR 3,000 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40Ceigr 0.3167
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D40CEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32enigr 0.6646
RFQ
 ECAD 7865 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q32enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LE40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le40etigr 0.3640
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE40ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD55LF511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LF511mewigr 4.3329
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD55LF511-Mewigrtr 3,000
GD5F2GQ5RFZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFZIGY 4.3225
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD5F2GQ5RFZIGY 4,800
GD25Q20ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20ETJGR 0.3468
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q20ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q16ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ENEGR 0.8143
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q16ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25WD20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20etigr 0.2490
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WD20ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LQ40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ESIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ40ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LT512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GY 8.3285
RFQ
 ECAD 2372 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT512MEY2GY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ64ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ES2GR 1.2272
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64EBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64ebigy 0.8923
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q64EBIGY 4,800 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55LB01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEFIRR 9.2951
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD55LB01GEFIRRTR 1,000 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LQ128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EYIGY 1.2999
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LQ128EYIGY 4,800 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25Q20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20 SIGR 0.4500
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD5F2GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGR -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F2GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32分数 1.0100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD5F4GQ4UBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UBYIGR -
RFQ
 ECAD 3755 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25Q64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64 Wigr 1.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CTIGR 0.4033
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD55F512MFWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55F512MFWIGR 4.3329
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD55F512MFWIGRTR 3,000
GD25Q128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQIGR 1.2544
RFQ
 ECAD 8834 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25Q128EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255FIRR 2.3733
RFQ
 ECAD 8858 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LQ255Fefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25D20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d20etigr 0.2257
RFQ
 ECAD 1882年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D20ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD5F4GM8UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEWIGY 6.1180
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F4GM8UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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