电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | gd9fs1g8f3algi | 2.6557 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD9FS1G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||
![]() | GD25F64FQ2GR | 1.5077 | ![]() | 3349 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25F | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson (4x4) | - | 1970-GD25F64FQ2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | - | ||
![]() | GD25LE128ELIGR | 1.4105 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-XFBGA,WLCSP | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 16-wlcsp | 下载 | 1970-GD25LE128ELIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | gd25le16etigr | 0.5242 | ![]() | 5143 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LE16ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | gd25q64eyjgr | 1.0249 | ![]() | 8062 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25Q64EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD55X01GEB2RY | 20.2027 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55X | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD55X01GEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi-八分之一,Dtr | - | ||
![]() | GD25LB256EBIRY | 2.3562 | ![]() | 9106 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | 1970-GD25LB256EBIRY | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 70µs,1.2ms | |
![]() | GD25LE128EQIGR | 1.3702 | ![]() | 1579年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson (4x4) | 下载 | 1970-GD25LE128EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | gd25wd80etigy | 0.3640 | ![]() | 4418 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WD | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25WD80ETIGY | 4,320 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 100µs,6ms | |
![]() | GD25LB128 eWrigr | 1.4109 | ![]() | 1554年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25LB128WIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | GD25LE32 ELIGR | 0.7582 | ![]() | 7661 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 10-XFBGA,WLCSP | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 10-wlcsp | 下载 | 1970-GD25LE32ELIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25LB16EIGR | 0.5678 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65v〜2.1V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25LB16Eigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | gd25ld40etigr | 0.2865 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LD40ETIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 12 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 100µs,6ms | |
![]() | GD25F256FB2RY | 3.4593 | ![]() | 6033 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||
![]() | GD25LQ128EYIGY | 1.2999 | ![]() | 6703 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25LQ128EYIGY | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25D40Ceigr | 0.3167 | ![]() | 8682 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25D40CEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 50µs,4ms | |
![]() | GD25Q80ES2GR | 0.5090 | ![]() | 5610 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25Q80ES2GRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD25LF255WIGY | 2.1590 | ![]() | 8261 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LF | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25LF255Wigy | 5,700 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||
![]() | GD25LQ128EQEGR | 1.8538 | ![]() | 3854 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson (4x4) | 下载 | 1970-GD25LQ128EQEGRTTR | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 100µs,4ms | |
![]() | GD25LQ20 ESIGR | 0.3167 | ![]() | 4317 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LQ20 Esigrtr | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD5F2GQ5UEIGR | 3.9884 | ![]() | 8461 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |
![]() | GD9FS4G8F2AMGI | 6.9852 | ![]() | 1155 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS4G8F2AMGI | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 22 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | ![]() | 8654 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS4G8F3AMGI | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 22 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | GD55F512MFWIGR | 4.3329 | ![]() | 5638 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 1970-GD55F512MFWIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | GD25Q128EYJGR | 1.4911 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25Q128EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs,4ms | |
![]() | GD25LQ20Ekigr | 0.3786 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25LE128EWJGY | 1.5901 | ![]() | 1919年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25LE128EWJGY | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |
![]() | GD25B16EEAGR | 0.8845 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | - | 1970-GD25B16EEAGRTR | 3,000 | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
![]() | GD55T01GEY2GR | 16.7580 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD55T01GEY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | - | ||
![]() | GD25F128迁移 | 1.1590 | ![]() | 6397 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 1970-GD25F128ESIGRTR | 2,000 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库