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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LQ256DWAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWAGY 4.2161
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ256DWAGY 5,700 104 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 4ms
GD25LQ255EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EBIRY 2.2364
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25LQ255EBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD25LQ16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETJGR 0.6115
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 1970-GD25LQ16ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64enigr 0.8999
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25WQ64Enigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD55LB01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBARY 16.3989
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LB01GEBARY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD9FS2G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F3ALGI 4.7455
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 63-VFBGA Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-fbga（9x11） 下载 1970-GD9FS2G8F3ALGI 2,100 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 256m x 8 平行线 25ns
GD5F4GQ6REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYIGR 6.7891
RFQ
 ECAD 7958 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GQ6REYIGRTR 3,000 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25WQ16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16ESIGR 0.5387
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ16ESIGRTR 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 12 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LE255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255SIGR 2.1993
RFQ
 ECAD 1072 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE255Sigrtr 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25B64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64WIGY 0.8247
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B64WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32enigr 0.7301
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25LH32enigrtr 3,000
GD25F256FY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FY2GR 3.6639
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F256FY2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQIGR 0.8986
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ64EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F4GQ6REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REY2GY 10.6666
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F4GQ6REY2GY 4,800 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LE32E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le32e3igr 0.7363
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 10-wlcsp 下载 1970-GD25LE32E3IGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD9FU4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu4g8f2algi 6.7226
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU4G8F2ALGI 2,100
GD25Q80ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ES2GR 0.5090
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25Q80ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q64EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64eyjgr 1.0249
RFQ
 ECAD 8062 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q64EYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25D80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CKIGR 0.5700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0.5373
RFQ
 ECAD 4717 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYIGY 1.2080
RFQ
 ECAD 1668年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q128EYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Ceigr -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25B512MEYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYEGR 6.0164
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512MEYEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LX256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256FIRR 5.3600
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 1,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi-八分之一，Dtr 50µs，1.2ms
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EIGR 0.7020
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETJGR 0.5515
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD55LX02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEBIRY 26.2542
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LX 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LX02GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LE64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64SIGR 0.8045
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE64 ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ128DBAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DBAGY 2.5210
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LQ128DBAGY 4,800 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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