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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LQ16CNIGR | 1.0600 |  | 10 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | GD25LQ16 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-uson （4x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
 | gd25q80etigr | 0.5500 | | 16 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | ||
| GD25LT512Mefirr | 5.6176 | | 8836 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LT512Mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25B32ESAGR | 1.0363 | | 6446 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B32ESAGRTR | 2,000 | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| GD25WD10CKIGR | 0.3167 | | 2603 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25WD10CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 12 ns | 闪光 | 128K x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||||||
| GD25Q40EEAGR | 0.6261 | | 7402 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25Q40EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs，4ms | |||||||
| GD25B16CS2GR | 0.7772 | | 3277 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B16CS2GRTR | 2,000 | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
 | GD25VE32CVIGR | - | | 3038 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25VE32 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-VSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD25LQ64WIGR | 1.4800 | | 5696 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | |||||
 | GD25LQ64CWIGR | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25LQ64 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD25B512MEYEGR | 6.0164 | | 5649 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25B512MEYEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25F64FQ2GR | 1.5077 | | 3349 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson （4x4） | - | 1970-GD25F64FQ2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25WQ128EGR | 1.4385 | | 7179 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25WQ128WIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 8 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
| GD25LQ20Ekigr | 0.3786 | | 6749 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25Q80CWIGR | - | | 2679 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25WQ64enigr | 0.8999 | | 8486 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（3x4） | 下载 | 1970-GD25WQ64Enigrtr | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
| GD25LQ255EBIRY | 2.2364 | | 6673 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | 下载 | 1970-GD25LQ255EBIRY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | - | ||||||||
| GD25LQ255Wigr | 3.4700 | | 2 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | ||||
 | GD25VQ40CTIG | 0.3366 | | 3374 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25VQ40 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | |||
| gd25b64 wigr | 1.4100 | | 2128 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||
| GD25WQ32移民 | 1.1100 | | 8604 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 8 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||
| GD25Q32CSJG | - | | 4813 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25B64SIGR | 1.2300 | | 2886 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||
| GD25Q20 SIGR | 0.4500 | | 7823 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 7 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | |||||
| GD25LQ80EEIGR | 0.4368 | | 6050 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25LQ80EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25WD05CKIGR | 0.3016 | | 2332 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25WD05CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 512kbit | 12 ns | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||||||
| GD5F1GQ5REYIHR | 2.4898 | | 9529 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5REYIHRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25B512MEYIGY | 4.2560 | | 2864 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25B512MEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
 | GD5F4GQ4UBYIGR | - | | 3755 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F4GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | ||||
| GD25LQ80ESIGR | 0.3786 | | 2065 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LQ80ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms |
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