SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD25Q127CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIGR 2.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CNIGR 1.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson (4x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ128DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DWIGR 2.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ256DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWIGR 3.8600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25VE40 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CEIGR -
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25VQ80 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CVIGR -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VE32 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20Ceigr 0.5200
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD20 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR 0.3752
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD40 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGR -
RFQ
ECAD 9641 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F2GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25Q80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIG 0.3045
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q80CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CWIGR -
RFQ
ECAD 2679 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0.6937
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIG 0.5149
RFQ
ECAD 9200 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
RFQ
ECAD 1931年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CHIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CHIGR -
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CZIGY -
RFQ
ECAD 3104 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q32cbigy -
RFQ
ECAD 1367 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q64CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJG -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q127CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIG 1.2501
RFQ
ECAD 4780 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25Q127CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJGR -
RFQ
ECAD 4258 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25Q127CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJG -
RFQ
ECAD 1705年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25Q256DBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DBIGY 2.7874
RFQ
ECAD 1362 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25Q256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25S512MDBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY -
RFQ
ECAD 3215 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA GD25S512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LD20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20座席 -
RFQ
ECAD 7417 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD20 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs,6ms
GD25LQ20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Coigr -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40COIGR -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) GD25LQ40 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CEIGR 0.4033
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs,6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库