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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD25LB512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512Mefirr 4.5486
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB512Mefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25B32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b3222etigr 0.9900
RFQ
ECAD 1707年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD55B02GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEBJRY 20.4750
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 1970-GD55B02GEBJRY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGR -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F1GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LT256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256FIRR 2.8704
RFQ
ECAD 5571 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LT 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LT256FIRRTR 1,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 70µs,1.2ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32WIGY 0.6760
RFQ
ECAD 2202 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LQ32WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25WD10CK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CK6IGR 0.3468
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25WD10CK6IGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 12 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 55µs,6ms
GD25LF128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128Wigr 1.9780
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LF128WIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGY -
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128Dyigr 2.2300
RFQ
ECAD 521 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25D10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CKIGR 0.2885
RFQ
ECAD 9673 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25D80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CKIGR 0.5700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05天才 0.2404
RFQ
ECAD 3862 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25D10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10分数 0.3300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25Q40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CTIGR 0.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEIGR 0.4800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32分数 1.0100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ05CEIGR -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ05 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20分数 -
RFQ
ECAD 6107 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q127CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIGR 1.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25LQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIGR 0.6100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CNIGR -
RFQ
ECAD 7715 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson (4x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CWIGR -
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0.8389
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CWIGR 0.8900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CWIGR 1.4800
RFQ
ECAD 59 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库