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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS42S86400F-6TL	11.8500	RFQ	6956	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS25WP016D-JKLE	1.2700	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP016	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	133 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS46R16160F-6TLA2-Tr	4.8763	RFQ	2333	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS42S32400F-6BL	5.1693	RFQ	8335	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS62WV5128DALL-55BLI-TR	-	RFQ	4891	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS62WV5128	sram-异步	1.65V〜2.2V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS61VPS102418A-200B3I-Tr	-	RFQ	1985	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS49NLC96400-25BI	-	RFQ	6433	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS62WV102416FALL-55BLI	8.0827	RFQ	5563	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV102416FALL-55BLI			480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS62WV5128DBLL-45TLI-TR	-	RFQ	8746	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS62WV5128	sram-异步	2.3v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
IS61QDPB42M18A-400M3L	71.5551	RFQ	1268	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS42SM32160E-75BL-Tr	9.1200	RFQ	8155	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32160	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS43QR85120B-083RBLI-TR	9.5494	RFQ	3476	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-083RBLI-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
IS42S32400B-7BLI-TR	-	RFQ	3292	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61LPS51236A-250B3I	-	RFQ	1076	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS46DR16640C-3DBLA2-TR	5.9400	RFQ	1230	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61LPD25636A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	6034	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPD25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS61WV12816BLL-12TLI-TR	3.2261	RFQ	4968	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV12816	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	12 ns	SRAM	128K x 16	平行线	12ns
IS61LF102418B-7.5TQ-TR	-	RFQ	2346	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS46LR32160C-6BLA2	12.4533	RFQ	3246	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS46LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	12ns
IS42S16160B-7TLI	-	RFQ	5628	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS25LQ010A-JDLE	-	RFQ	9125	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ010	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	Spi -Quad I/O。	400µs
IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR	7.8750	RFQ	7726	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS61VPD102418A-200B3I	-	RFQ	9377	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPD102418	sram-四边形端口，同步	2.375V〜2.625V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS43TR16128DL-125KBL	4.6100	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1724	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS46DR16320D-3DBLA1-Tr	5.7150	RFQ	3850	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43TR81280B-125JBL-Tr	-	RFQ	4852	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43R86400D-5TL-Tr	5.3325	RFQ	6850	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS42S32160F-6BL-TR	11.5500	RFQ	9236	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS42S16100H-6BL-TR	1.3591	RFQ	6310	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43TR16512BL-125KBL-TR	17.7555	RFQ	7740	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16512BL-125KBL-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²