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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR	-	RFQ	8393	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WV1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	55 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS46R16160F-6BLA1	5.2943	RFQ	1772年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	190	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61LPS12836EC-200B3LI	8.3815	RFQ	5512	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS42S32160C-75BLI-TR	-	RFQ	6125	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS43TR81024B-107MBLI	22.8583	RFQ	9132	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-107MBLI			136	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS93C66A-2GRLI	-	RFQ	2049	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93c66a	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1051-5	Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	5ms
IS43LQ32128A-062BLI	-	RFQ	7499	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	IS43LQ32128	sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LQ32128A-062BLI	Ear99	8542.32.0036	136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
IS42RM32160C-75BL	-	RFQ	8288	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42RM32160	sdram-移动	2.3V〜3V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS22TF16G-JCLA1-TR	25.1370	RFQ	6117	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF16G-JCLA1-TR			2,000	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR	-	RFQ	2475	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	IS67WVC4M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500	104 MHz	易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS49RL36160A-107EBL	81.5500	RFQ	119	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA	IS49RL36160	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL36160A-107EBL	Ear99	8542.32.0032	119	933 MHz	易挥发的	576Mbit	7.5 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS42S16320B-7TL-Tr	-	RFQ	5583	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS46DR16320C-25DBLA1	8.2104	RFQ	4126	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	209	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS42SM32800D-75BLI	-	RFQ	4084	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32800	sdram-移动	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS65C256AL-25TLA3-TR	2.7498	RFQ	3177	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	IS65C256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
IS43DR86400D-3DBLI-TR	5.8650	RFQ	2503	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR86400	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS61QDB42M18C-250M3L	-	RFQ	7927	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB42	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS43DR16128C-3DBL-TR	6.7500	RFQ	1217	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61QDPB42M36A2-550B4L	-	RFQ	9366	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-四边形端口，同步	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS61LPS51236B-200TQLI-TR	13.9821	RFQ	1941年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR16640C-125JBLI-TR	3.2532	RFQ	3497	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640C-125JBLI-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR16512B-125KBLI	26.1600	RFQ	658	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16512	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1657	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
IS46R16320D-6TLA2	11.0031	RFQ	6109	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43TR16512AL-107MBLI-TR	-	RFQ	5090	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS43TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LFBGA（10x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR	-	RFQ	9240	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS64LPS204818B-166TQLA3	132.3258	RFQ	9494	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LPS204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS61C3216AL-12KLI	2.1754	RFQ	3281	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61C3216	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	16		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	12ns
IS41LV16100C-50TI	-	RFQ	6908	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），44条线索	IS41LV16100	戏剧性	2.97v〜3.63V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	85ns
IS62WV1288BLL-55TLI-TR	1.6971	RFQ	9012	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR	-	RFQ	1687年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE4M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²