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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS45S16320F-7BLA2	15.8813	RFQ	1049	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS42S32200C1-7TL	-	RFQ	6490	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS62C1024AL-35TLI	2.4500	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	35 ns	SRAM	128K x 8	平行线	35ns
IS42S32200C1-7Ti-Tr	-	RFQ	3868	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61LPS25672A-250B1	-	RFQ	6525	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61LPS25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS25LQ512B-JDLE-TR	-	RFQ	8195	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	104 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS42VM32400H-75BLI-TR	4.1105	RFQ	1416	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61NVP51236B-200B3I-Tr	-	RFQ	4796	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS46LQ32640AL-062TBLA1	-	RFQ	5977	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640AL-062TBLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS42S32800J-6TL	6.9700	RFQ	661	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS43LR32640A-5BLI-TR	12.8850	RFQ	1124	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS43LR32640	sdram -ddr	1.7V〜1.95V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS45S16800F-6BLA1-Tr	4.8260	RFQ	3191	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS34MW01G164-Bli-Tr	3.4331	RFQ	7691	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34MW01G164-Bli-Tr			2,500		非易失性	1Gbit	30 ns	闪光	64m x 16	平行线	45ns
IS61VF102418A-6.5B3	-	RFQ	6047	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS46TR85120AL-107MBLA2	-	RFQ	5051	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120AL-107MBLA2	Ear99	8542.32.0036	136	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS46QR16512A-083TBLA1-TR	18.9924	RFQ	5318	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS62WV10248HBLL-45B2LI	4.1520	RFQ	1967年	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV10248HBLL-45B2LI			480		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
IS42S16160J-6BLI-TR	2.9790	RFQ	5683	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS49NLC96400-25B	-	RFQ	1539年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS43R86400D-6TLI-TR	7.5000	RFQ	8559	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS42S32160A-75BLI	-	RFQ	1001	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1062	Ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS43TR82560CL-125KBL-TR	3.8489	RFQ	7671	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR82560CL-125KBL-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS62WV25616BLL-55TI-TR	-	RFQ	8017	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS61LF51236A-6.5B3I-Tr	-	RFQ	6667	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS46TR16128A-15HBLA2	-	RFQ	4514	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS62WV6416FBLL-45TLI	1.5722	RFQ	2647	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV6416FBLL-45TLI			135		易挥发的	1Mbit	45 ns	SRAM	64k x 16	平行线	45ns
IS46LQ16256AL-062BLA2	-	RFQ	5101	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256AL-062BLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
IS43LR32320C-6BLI-TR	8.1130	RFQ	5343	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32320C-6BLI-TR			2,500	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
IS61C256AL-12JLI	1.5200	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS61C256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
IS42S32800D-6BLI-TR	-	RFQ	1521年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²