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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61LF102418B-7.5TQ-TR	-	RFQ	2346	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61WV25616BLL-10BLI-TR	3.2736	RFQ	5707	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS21ES08GA-JCLI-TR	17.4700	RFQ	721	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	IS21ES08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR	2.8952	RFQ	7390	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS25LQ025B-JKLE	-	RFQ	4200	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1327	Ear99	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS42SM16160D-7BLI-TR	-	RFQ	3526	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16160	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS62WV5128DALL-55T2LI-TR	-	RFQ	2772	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS62WV5128	sram-异步	1.65V〜2.2V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS42S16400E-7TL	1.1100	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IS42S16400E-7TL	Ear99	8542.32.0002	1	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	-
IS45S16320F-7BLA1	12.7882	RFQ	6291	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS43LR16320C-5BLI	6.8653	RFQ	6545	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16320C-5BLI			300	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	lvcmos	15ns
IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR	2.5289	RFQ	3202	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR			2,500		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS64WV25616EDBLL-10BLA3	8.2210	RFQ	6254	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS64WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS61LPS25672A-250B1	-	RFQ	6525	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61LPS25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS65WV1288BLL-55HLA1-TR	3.2572	RFQ	9109	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS65WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS46LQ32640A-062BLA2	-	RFQ	4944	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640A-062BLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	lvstl	-
IS45S16160J -6TLA1 -Tr	4.3887	RFQ	2524	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61LF51236B-6.5TQLI	17.8310	RFQ	8275	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS45S16320D-7CTLA2-TR	24.7650	RFQ	3487	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS43TR16640A-125JBLI-TR	-	RFQ	1373	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS45S16160D-7BLA2-TR	-	RFQ	5925	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42VM32400G-6BLI	-	RFQ	5543	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42VM16400K-75BLI	-	RFQ	6228	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS62WV12816ALL-70BI	-	RFQ	9936	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS
IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR	10.2585	RFQ	6309	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV10248	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
IS63WV1024BLL-12TLI	2.4900	RFQ	117	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63WV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	117		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS45S32400E-6BLA1-Tr	-	RFQ	6968	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS25CQ032-JFLE-TR	-	RFQ	7402	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25CQ032	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	4ms
IS61QDB42M36A-300M3L	74.4172	RFQ	4815	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB42	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS42S32800J-6TLI	6.4315	RFQ	2731	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42VM16320D-75BLI	-	RFQ	9406	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16320	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²