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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS45S32400F-7BLA1-TR	5.8800	RFQ	4253	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS46R16160D-6TLA1-Tr	5.6024	RFQ	8574	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43DR16160B-3DBI-TR	-	RFQ	3966	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61NVP102418-250B3I	-	RFQ	9289	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	3.5165	RFQ	8502	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S32800D-7TL-Tr	-	RFQ	7773	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42S16100C1-6T	-	RFQ	5988	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43LD32640B-18Bli-Tr	11.0850	RFQ	5098	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS61NLP51236-200B3I-Tr	-	RFQ	4624	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR16256A-125KBL-TR	-	RFQ	1326	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS46TR16640BL-107MBLA2-TR	-	RFQ	9442	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-107MBLA2-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61LV5128AL-10KLI	4.1694	RFQ	4295	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV5128	sram-异步	3.135v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	19		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS64LF12832EC-7.5TQLA3-Tr	9.9825	RFQ	5203	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LF12832	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	4Mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
IS25LQ020B-JBLE	-	RFQ	8405	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1317	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS61LV25616AL-10K-TR	-	RFQ	2734	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS43LQ32640AL-062TBLI	10.4241	RFQ	9537	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640AL-062TBLI			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS42VM16160E-6BLI	-	RFQ	5436	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16160	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43TR81024B-125KBL	20.8861	RFQ	2010	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-125KBL			136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS61LV25616AL-10BLI	5.2700	RFQ	393	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	48-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	220		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS43DR86400E-3DBLI	6.7700	RFQ	5	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR86400	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1561	Ear99	8542.32.0028	242	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS25WJ032F-JNLE	1.0600	RFQ	365	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WJ032F	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WJ032F-JNLE	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS42S32160B-75EBLI	-	RFQ	9013	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS25LD020-JDLE-TR	-	RFQ	4938	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LD020	闪光	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	100 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	5ms
IS42S32800D-6BI	-	RFQ	2686	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS66WVO32M8DALL-200BLI	6.9500	RFQ	47	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVO32M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVO32M8DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	易挥发的	256Mbit		PSRAM	32m x 8	spi -octal I/o	40ns
IS42S32400B-7TI	-	RFQ	4988	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS22TF64G-JCLA1	50.6532	RFQ	7392	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF64G-JCLA1			152	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS42S32160B-6BLI	-	RFQ	2558	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI	3.2589	RFQ	8408	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI			480	100 MHz	易挥发的	64mbit	40 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	40ns
IS61VF204836B-7.5TQLI	123.9810	RFQ	8445	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VF204836	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²