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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS62WV51216EALL-55BLI	5.8352	RFQ	6576	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV51216	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	312		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS62WV51216ALL-70BI-TR	-	RFQ	5250	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	70 ns	SRAM	512k x 16	平行线	70NS
IS61NLF102418-6.5B3-Tr	-	RFQ	3319	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS49NLC96400A-25WBL	52.8000	RFQ	2939	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS25LX512M-JHLE	7.3874	RFQ	6281	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LX512M	闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX512M-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
IS43TR82560B-125KBL-TR	-	RFQ	6165	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR82560B-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS46TR16640CL-125JBLA25	-	RFQ	2653	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640CL-125JBLA25	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS25LP256E-JLLE	3.8129	RFQ	2226	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP256E-JLLE			480	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS61LPS51236A-200B3	-	RFQ	9648	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS41C16256C-35TLI	-	RFQ	7225	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），40个铅	IS41C16256	戏剧性	4.5V〜5.5V	40-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	135		易挥发的	4Mbit	18 ns	德拉姆	256K x 16	平行线	-
IS64LV25616AL-12TLA3-TR	9.0000	RFQ	8168	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
IS43DR16160B-3DBLI-TR	3.8973	RFQ	9016	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS42RM32800D-75TLI	-	RFQ	1923年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32800	sdram-移动	2.3v〜2.7V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS61WV102416FBLL-10BLI	9.8195	RFQ	4590	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV102416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
IS42S16100C1-5TL	-	RFQ	1225	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117	200 MHz	易挥发的	16mbit	5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43TR16256A-125KBL-TR	-	RFQ	1326	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS25WE512M-RMLE	-	RFQ	4762	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	16-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WE512M-RMLE	过时的		1	112 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS42S32200C1-7Ti-Tr	-	RFQ	3868	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS42S16100C1-7BI	-	RFQ	9810	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	286	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42S32400B-6B	-	RFQ	4503	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43DR16160B-3DBI-TR	-	RFQ	3966	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61NLF102436B-6.5TQLI	81.3214	RFQ	9727	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF102436	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	36mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS46TR16128A-125KBLA2-TR	-	RFQ	8689	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61NVP51236B-200TQLI-TR	14.2500	RFQ	3178	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25WP256D-JMLE-TY	4.2121	RFQ	9978	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP256D-JMLE-TY			176	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS42S16400F-6BL	-	RFQ	9206	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS61LF204836B-7.5TQLI	114.4219	RFQ	7149	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF204836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS43DR16320E-25DBLI-TR	4.3084	RFQ	5690	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS39LV010-70VCE	-	RFQ	8104	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	IS39LV010	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	32-VSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1349	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	1Mbit	70 ns	闪光	128K x 8	平行线	70NS
IS43R32800B-6BL	-	RFQ	2731	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-Minibga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	189	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²