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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS25LP032D-JBLE-TR	1.2200	RFQ	27	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LP032	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS42S81600F-7TLI	2.6467	RFQ	5052	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S81600	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	-
IS61WV102416FBLL-8BLI	9.7363	RFQ	1319	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416FBLL-8BLI			480		易挥发的	16mbit	8 ns	SRAM	1m x 16	平行线	8ns
IS61WV5128BLL-10TLI-TR	3.0606	RFQ	2226	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS43LD32128C-25BPLI-Tr	-	RFQ	1550	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-25BPLI-Tr	Ear99	8542.32.0036	1
IS46TR16640C-125JBLA25-Tr	-	RFQ	5165	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS45S32400E-7TLA2-Tr	-	RFQ	1169	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61NLP102418B-200B3LI	20.7400	RFQ	9334	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS42S32800D-6BLI-TR	-	RFQ	1521年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS25LP512M-RGLE	-	RFQ	5105	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LP512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS62WVS0648FBLL-20NLI	2.2660	RFQ	1924年	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS62WVS0648	sram-同步，sdr	2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	100	20 MHz	易挥发的	512kbit		SRAM	64k x 8	Spi -Quad I/O，SDI，Dtr	-
IS61WV6416EEBLL-10BLI	1.6819	RFQ	6894	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV6416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	480		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS29LV032B-70BLI	-	RFQ	5354	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS29LV032B	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	480		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
IS61NVP204818B-200TQLI-TR	69.6500	RFQ	7574	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP204818	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS42S32200L-6BLI-TR	4.1562	RFQ	3963	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61WV10248EEBLL-10TLI	7.2875	RFQ	9846	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV10248EEBLL-10TLI			135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
IS43R86400E-6BLI	-	RFQ	8535	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R86400	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS43TR16512AL-107MBL-TR	-	RFQ	9867	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS43TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LFBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16512AL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS66WV51216BLL-55TLI-TR	-	RFQ	2793	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	55 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS63LV1024L-10TLI-TR	-	RFQ	5624	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3.15V〜3.45V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS46LQ16256A-062TBLA2	15.4924	RFQ	9664	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256A-062TBLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-
IS46TR16640B-15GBLA1-TR	-	RFQ	4950	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43R32800B-6BL-TR	-	RFQ	3877	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-Minibga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS43LD32640C-18Bli	10.4529	RFQ	3035	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32640C-18BLI			171	533 MHz	易挥发的	2Gbit	5.5 ns	德拉姆	64m x 32	HSUL_12	15ns
IS63WV1288DBLL-10KLI	-	RFQ	6481	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63WV1288	sram-异步	2.4v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	19		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS62WV2568BLL-55TLI	2.7300	RFQ	8	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV2568	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	156		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
IS43LR16160G-6BLI	5.9717	RFQ	8649	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	300	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43TR16128D-125KBL	4.6100	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1720	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42S32800J-6TL	6.9700	RFQ	661	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS61NVF51236-6.5B3I	-	RFQ	2938	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²