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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR	2.8644	RFQ	7247	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV12816	sram-异步	3v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
IS46DR16640C-25DBLA2	7.0301	RFQ	9571	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	209	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S32800B-6BLI-TR	-	RFQ	7409	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS61NVF51236-7.5B3I-Tr	-	RFQ	5245	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61VPS51236A-250B3I-Tr	-	RFQ	2959	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS66WVE2M16ALL-7010BLI	-	RFQ	7351	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE2M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
IS22TF128G-JQLA1-TR	74.4800	RFQ	6033	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF128G-JQLA1-TR			1,000	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC_5.1	-
IS42S16160B-7B-Tr	-	RFQ	7841	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-LFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43LR16160H-6BLI	5.3162	RFQ	3927	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16160H-6BLI			300	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS46TR16128DL-107MBLA1-TR	5.1404	RFQ	8120	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16128DL-107MBLA1-TR			1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61QDPB42M36A-550M3LI	-	RFQ	2197	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-四边形端口，同步	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS43LR32640B-5BLI-TR	9.3233	RFQ	5957	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32640B-5BLI-TR			2,500	208 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS42S16160J-7BL	3.5400	RFQ	157	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61VPS204836B-250TQLI	130.1800	RFQ	2531	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VPS204836	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	易挥发的	72Mbit	2.8 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS61LF102418B-6.5TQLI	17.8310	RFQ	7330	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61VF102418A-7.5B3I	-	RFQ	1423	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61NLP12836B-200TQLI-TR	7.5837	RFQ	6109	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS43QR81024A-083TBL-TR	16.0930	RFQ	2841	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR81024A-083TBL-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS42S32400F-7TL	4.6500	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1272	Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42S32200L-6BL-TR	3.8792	RFQ	4919	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43LR16320C-5BLI-TR	6.1327	RFQ	5612	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16320C-5BLI-TR			2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	lvcmos	15ns
IS61LPD102418A-200TQI-Tr	-	RFQ	1966年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPD102418	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61NLP12836B-200TQI-Tr	-	RFQ	4240	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS21ES32G-JCLI	-	RFQ	9123	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	IS21es32	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21ES32G-JCLI	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC	-
IS49NLC36800-33BL	-	RFQ	8387	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
IS61NVP51236-250B3-Tr	-	RFQ	7559	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS46DR81280C-25DBLA1	-	RFQ	5282	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS42S32200L-7TL-Tr	2.8125	RFQ	3405	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS46TR16128A-15HBLA2-TR	-	RFQ	4833	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS41C16257C-35TLI-Tr	-	RFQ	9882	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），40个铅	IS41C16257	DRAM -FP	4.5V〜5.5V	40-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	4Mbit	18 ns	德拉姆	256K x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²