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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3	5.8058	RFQ	5067	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64WV2568	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	256K x 8	平行线	10NS
IS61WV25616BLL-10BLI	4.2900	RFQ	275	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS46TR16128CL-125KBLA1-TR	5.9302	RFQ	5807	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61NVF51236-6.5B3	-	RFQ	8165	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR16640BL-125JBLI	-	RFQ	3830	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61WV25616EDBLL-8TLI	4.3891	RFQ	9971	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	256K x 16	平行线	8ns
IS61LV6416-10KLI-TR	-	RFQ	7989	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV6416	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS61LPS102418A-200B3I-Tr	-	RFQ	7699	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61LF51236B-7.5TQLI	19.1200	RFQ	35	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LPS25618A-200TQI	-	RFQ	6316	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS61LP6436A-133TQLI	5.9867	RFQ	5415	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LP6436	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
IS61LPS25618A-200TQLI-TR	7.5837	RFQ	8395	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS61WV102416DALL-10TLI-TR	-	RFQ	9528	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS61WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
IS43R86400D-6TL	5.7164	RFQ	5027	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS49RL36160A-093FBL	94.2300	RFQ	119	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA	IS49RL36160	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL36160A-093FBL	Ear99	8542.32.0032	119	1.066 GHz	易挥发的	576Mbit	7.5 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS61WV5128BLL-10BLI-TR	3.2736	RFQ	8793	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS67WVC4M16EALL-7010BLA1	-	RFQ	9400	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）			IS67WVC4M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V		下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480	104 MHz	易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS42SM32400G-75BI	-	RFQ	2457	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32400	sdram-移动	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42SM16800H-6BLI	4.6611	RFQ	7126	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS49NLC36800A-25EWBL	29.0237	RFQ	5037	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36800A-25EWBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	HSTL	-
IS61LV25616AL-10TL-TR	4.4700	RFQ	4	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS64LPS102436B-166TQLA3	132.3258	RFQ	1123	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LPS102436	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS62WV1288DBLL-45TLI	-	RFQ	2467	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV1288	sram-异步	2.3v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	45 ns	SRAM	128K x 8	平行线	45ns
IS46TR85120BL-125KBLA2	-	RFQ	5229	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120BL-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS42S16800F-6TLI	2.5379	RFQ	8874	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46DR16640B-25DBLA1	8.9157	RFQ	3449	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	209	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR81280C-125JBLI-Tr	3.4178	RFQ	1087	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81280C-125JBLI-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43R32800B-5BL-TR	-	RFQ	4094	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-Minibga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS43LR32320C-5BLI	8.9852	RFQ	2599	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32320C-5BLI			240	208 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	14.4ns
IS45S16160J-7CTLA2	5.6109	RFQ	2256	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²