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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS21TF64G-JQLI-TR | 53.7750 | ![]() | 7709 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21TF64G | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21TF64G-JQLI-Tr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | ||
![]() | IS45S16160D-7BLA1-TR | - | ![]() | 1567年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61LPS51236A-250B3-Tr | - | ![]() | 8270 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
IS46LR16320C-6BLA1 | 10.6720 | ![]() | 1133 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS42S83200D-6TL-Tr | - | ![]() | 3848 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S83200 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43R32800D-5B | - | ![]() | 2525 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LFBGA | IS43R32800 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43TR85120BL-125KBL | 6.4066 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR85120BL-125KBL | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS22TF128G-JCLA1 | 74.3716 | ![]() | 8653 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF128G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS25WP080D-JKLE | 1.0300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25WP080 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | |||
![]() | IS61NLP51236B-200TQLI-TR | 13.9821 | ![]() | 2127 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61LPD25636A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 3269 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPD25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2.0139 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 8mbit | PSRAM | 2m x 4 | Spi -Quad I/O。 | 40ns | |||||
![]() | IS63LV1024-12J | - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | IS43R86400E-6TLI-Tr | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43LD32640B-18BPL | - | ![]() | 2580 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS43LD32640 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS45S16400J-6TLA1-Tr | 3.4742 | ![]() | 1894年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16320D-6BL-TR | 12.7950 | ![]() | 4200 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TW-BGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||
IS46DR16160B-25DBLA2 | 7.2696 | ![]() | 8308 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS66WV51216DBLL-70BLI | - | ![]() | 7172 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WV51216 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 70 ns | PSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | IS29GL256-70SLEB-TR | 5.2027 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 闪存-SLC) | 3v〜3.6V | 56-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL256-70SLEB-TR | 800 | 非易失性 | 256Mbit | 70 ns | 闪光 | 32m x 8 | CFI | 70ns,200µs | ||||||
![]() | IS61NVP25672-200B1I | - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NVP25672 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25WX512M-JHE-Tr | 7.5600 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25WX512M | 闪光 | 1.7V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WX512M-JHE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi -octal I/o | - | ||
![]() | IS43LD32128C-18BPL-Tr | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128C-18BPL-Tr | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | IS61NVP102418-250B3I | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NVP102418 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43LD32128B-18BPLI | 14.1346 | ![]() | 8779 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS43LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128B-18BPLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS25WJ032F-JNLE-TR | 0.7291 | ![]() | 4029 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WJ032F-JNLE-TR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1.6ms | |||||
![]() | IS61NLP51236B-200TQLI | 17.2425 | ![]() | 9873 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42SM16800G-75BI-Tr | - | ![]() | 1481 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42SM16800 | sdram-移动 | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS41LV16105B-50KLI | - | ![]() | 3597 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 42-BSOJ(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3v〜3.6V | 42-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 16 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS25LP080D-JULE-TR | 0.6114 | ![]() | 8522 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP080D-JULE-TR | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs |
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