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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS43DR16640A-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640A-3DBI -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-twbga(8x13.65) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43DR16640A-3DBI 过时的 209 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR -
RFQ
ECAD 3153 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS65WV25616 sram-异步 2.3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS25WJ064F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F JBLE 1.6200
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WJ064F-JBLE 90
IS61LPD51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQI-Tr -
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPD51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43R86400D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TLI-TR 7.8600
RFQ
ECAD 8247 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS43TR16128BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-125KBL-TR -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS21ES16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES16G-JCLI -
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA IS21ES16 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS21ES16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 EMMC -
IS61LP6432A-133TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6432A-133TQ-TR -
RFQ
ECAD 1161 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LP6436 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 易挥发的 2Mbit 4 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2.2324
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) sram-异步 2.4v〜3.6V 44-SOJ - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 64k x 16 平行线 10NS
IS46TR16256A-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA2-TR -
RFQ
ECAD 9203 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS21TF128G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JCLI 66.7335
RFQ
ECAD 6275 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS21TF128G-JCLI 152 200 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS46TR16512B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512B-125KBLA1 21.9519
RFQ
ECAD 1732年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16512B-125KBLA1 136 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS61WV102416EDALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-10BLI-TR -
RFQ
ECAD 5024 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR 2,500 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS64LPS102436B-166B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 125.8600
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS64LPS102436 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 166 MHz 易挥发的 36mbit 3.8 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS43TR16512AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBL -
RFQ
ECAD 3028 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16512AL-107MBL Ear99 8542.32.0036 136 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS43R32400E-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BLI-TR 4.6718
RFQ
ECAD 4767 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-LFBGA IS43R32400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 144-LFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
IS61NLP51236-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3LI -
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS66WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55BLI -
RFQ
ECAD 1690年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 312 易挥发的 8mbit 55 ns PSRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS62WV10248BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248BLL-55BLI 6.8343
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV10248 sram-异步 2.5V〜3.6V 48-Minibga(7.2x8.7) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 312 易挥发的 8mbit 55 ns SRAM 1m x 8 平行线 55ns
IS46DR16640C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA2 6.6880
RFQ
ECAD 7087 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 209 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS43LD32320C-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-18Bli-Tr 9.4650
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 134-TFBGA IS43LD32320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 533 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS25WP128F-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RHLA3 2.7864
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP128F-RHA3 480 166 MHz 非易失性 128mbit 5.5 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS61WV5128EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10KLI 3.5221
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61WV5128 sram-异步 2.4v〜3.6V 36-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 19 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS61NLP102418-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3 -
RFQ
ECAD 2356 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS61VF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5B3-Tr -
RFQ
ECAD 1782年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43DR16320D-25DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBI-Tr -
RFQ
ECAD 8324 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS43LD16640D-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640D-18BLI-TR 6.8495
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LD16640D-18BLI-TR 2,000
IS43TR82560CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBL-TR 3.8489
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS25LP01GG-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01GG-RHLE 13.1000
RFQ
ECAD 7587 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP01GG-RHLE 480
IS49NLC93200-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-33WBLI -
RFQ
ECAD 4921 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库