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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS43DR16640A-3DBI | - | ![]() | 4090 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-twbga(8x13.65) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43DR16640A-3DBI | 过时的 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR | - | ![]() | 3153 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS65WV25616 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS25WJ064F JBLE | 1.6200 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WJ064F-JBLE | 90 | |||||||||||||||||||
![]() | IS61LPD51236A-200TQI-Tr | - | ![]() | 7824 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPD51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43R86400D-5TLI-TR | 7.8600 | ![]() | 8247 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16128BL-125KBL-TR | - | ![]() | 6443 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS21ES16G-JCLI | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21ES16 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES16G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS61LP6432A-133TQ-TR | - | ![]() | 1161 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LP6436 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 4 ns | SRAM | 64k x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 2.2324 | ![]() | 6620 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-SOJ | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 800 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | IS46TR16256A-15HBLA2-TR | - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS21TF128G-JCLI | 66.7335 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS21TF128G-JCLI | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS46TR16512B-125KBLA1 | 21.9519 | ![]() | 1732年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16512B-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | IS64LPS102436B-166B3LA3-TR | 125.8600 | ![]() | 6729 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS64LPS102436 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.8 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43TR16512AL-107MBL | - | ![]() | 3028 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LFBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16512AL-107MBL | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS43R32400E-5BLI-TR | 4.6718 | ![]() | 4767 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-LFBGA | IS43R32400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 700 ps | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS61NLP51236-200B3LI | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS66WV51216BLL-55BLI | - | ![]() | 1690年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WV51216 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 312 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | PSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS62WV10248BLL-55BLI | 6.8343 | ![]() | 6991 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV10248 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 48-Minibga(7.2x8.7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 312 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 55ns | |||
IS46DR16640C-3DBLA2 | 6.6880 | ![]() | 7087 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43LD32320C-18Bli-Tr | 9.4650 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD32320 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS25WP128F-RHLA3 | 2.7864 | ![]() | 1408 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP128F-RHA3 | 480 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 5.5 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||
![]() | IS61WV5128EDBLL-10KLI | 3.5221 | ![]() | 1342 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS61WV5128 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS61NLP102418-200B3 | - | ![]() | 2356 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61VF51236A-6.5B3-Tr | - | ![]() | 1782年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VF51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
IS43DR16320D-25DBI-Tr | - | ![]() | 8324 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43LD16640D-18BLI-TR | 6.8495 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD16640D-18BLI-TR | 2,000 | |||||||||||||||||||
![]() | IS43TR82560CL-125KBL-TR | 3.8489 | ![]() | 7671 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS25LP01GG-RHLE | 13.1000 | ![]() | 7587 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP01GG-RHLE | 480 | |||||||||||||||||||
![]() | IS49NLC93200-33WBLI | - | ![]() | 4921 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | 平行线 | - |
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