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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS46TR16256BL-107MBLA2	10.3181	RFQ	6906	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16256BL-107MBLA2	Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS21ES16G-JCLI	-	RFQ	6752	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	IS21ES16	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21ES16G-JCLI	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC	-
IS42S16100H-7TLI-TR	1.5600	RFQ	6	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS49NLC93200-25BL	-	RFQ	7720	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
IS43TR81280B-107MBLI-TR	5.6700	RFQ	5986	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS42S16160J-7TL-Tr	2.5809	RFQ	1477	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS25LP080D-JBLE-TR	0.8200	RFQ	10	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LP080	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS43DR16640C-25DBLI-TR	5.0239	RFQ	9280	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42VM16800G-75BLI-Tr	-	RFQ	9783	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS61NLP102418B-250B3LI-Tr	18.0600	RFQ	1912年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS34ML04G081-TLI	11.7000	RFQ	8	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34ML04	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1634	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	平行线	25ns
IS61QDPB42M36A-500B4L	111.7063	RFQ	1500	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS43DR81280B-25EBLI	-	RFQ	7918	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS42VM16160K-6BLI	5.8352	RFQ	8260	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16160	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS46LR32160B-6BLA2	-	RFQ	7462	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS46LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	12ns
IS61LP6432A-133TQ-TR	-	RFQ	1161	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LP6436	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
IS42S86400F-6TL	11.8500	RFQ	6956	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS43TR81280BL-125JBL-TR	-	RFQ	1372	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS62WV102416EBLL-55BLI	8.4950	RFQ	2364	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV102416	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS42S32400D-6B	-	RFQ	5793	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61VF51236B-7.5TQLI	17.2425	RFQ	9352	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS49NLC36160-25BL	-	RFQ	5151	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS46TR16128B-125KBLA25-Tr	-	RFQ	4762	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16128B-125KBLA25-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS49NLS96400A-25EWBLI	54.4856	RFQ	1626年	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS96400A-25EWBLI			104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	64m x 9	HSTL	-
IS46DR16160B-25DBLA2	7.2696	RFQ	8308	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	209	400 MHz	易挥发的	256Mbit	400 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS46TR81280C-125JBLA25-TR	-	RFQ	4470	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR81280C-125JBLA25-TR	Ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS42S83200B-7T	-	RFQ	8939	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS61NVF102418-7.5B3I	-	RFQ	6844	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS42S32800J-7TL-Tr	5.2224	RFQ	2670	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS45S16100H-7TLA1-Tr	2.1024	RFQ	6186	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²