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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS41LV16105B-60KLI-Tr	-	RFQ	4330	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	30 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42S32400F-6B	-	RFQ	6205	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit		德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS25WP064A-JLLE-TR	1.4197	RFQ	5687	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP064	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS41LV16100C-50KLI	-	RFQ	9865	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41LV16100	戏剧性	3v〜3.6V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	16		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS62WV51216HBLL-45B2LI	5.5800	RFQ	460	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV51216HBLL-45B2LI			480		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
IS62WV5128DBLL-45HLI	-	RFQ	8951	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS62WV5128	sram-异步	2.3v〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	234		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
IS25LX256-JHLE	5.4500	RFQ	8572	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LX256	闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX256-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi -octal I/o	-
IS61WV51232BLL-10BLI-TR	18.5250	RFQ	3872	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS61WV51232	sram-异步	1.65V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	512K x 32	平行线	10NS
IS46TR16256B-107MBLA1-TR	8.0897	RFQ	1850年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16256B-107MBLA1-TR			1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS62WV1288BLL-55TI	-	RFQ	7054	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS45S16800F-7BLA1-TR	4.4911	RFQ	3395	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS45S16160G-7BLA1-Tr	6.6150	RFQ	3327	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42S16160J-6Ti-Tr	-	RFQ	3163	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42S32200L-6BL-TR	3.8792	RFQ	4919	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61LPS51236A-200TQLI-TR	-	RFQ	7833	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25WP080D-JULA3-TR	0.9188	RFQ	7841	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP080D-JULA3-TR			5,000	133 MHz	非易失性	8mbit	7 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS25LP128-jgle	-	RFQ	3245	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LP128	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	1ms
IS42S32800J-7BL	7.4900	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS45S16400J-6CTLA1-Tr	4.0367	RFQ	2654	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS62WV2568BLL-55TLI	2.7300	RFQ	8	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV2568	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	156		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
IS43LR16640A-6BL-TR	9.0000	RFQ	3489	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16640	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-twbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR16640BL-125KBLI	-	RFQ	7371	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43R32800B-6BL-TR	-	RFQ	3877	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-Minibga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS61QDPB42M36A2-550B4L	-	RFQ	9366	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-四边形端口，同步	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS43DR16160B-3DBI-TR	-	RFQ	3966	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43TR16640BL-125KBLI-TR	-	RFQ	3071	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS62LV256-70UI-Tr	-	RFQ	2578	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28 SOP	IS62LV256	sram-异步	3.135V〜3.465V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
IS43TR16128BL-107MBLI-TR	-	RFQ	8196	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16128BL-107MBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR	4.2932	RFQ	8215	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	IS66WVC4M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS61LV12824-10BI	-	RFQ	1675年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IS61LV12824	sram-异步	2.97v〜3.63V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS61LV12824-10BI	过时的		84		易挥发的	3Mbit	10 ns	SRAM	128K x 24	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²