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![]() | IS49NLS18160-25BLI | - | ![]() | 2479 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16320B-6TLI-TR | - | ![]() | 3957 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||
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IS43DR16640A-3DBL | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-twbga(8x13.65) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43R86400F-5TL-Tr | 3.2532 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43R86400F-5TL-Tr | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | sstl_2 | 15ns | |||||
![]() | IS25WE256E-RMLE-TR | 4.2125 | ![]() | 6322 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WE256E-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||
![]() | IS42VM16160K-75BLI | 6.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1313 | Ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |
![]() | IS34ML02G084-TLI | 6.8500 | ![]() | 890 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS34ML02 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1633 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 2Gbit | 25 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | IS62WV1288BLL-55HI-Tr | - | ![]() | 3700 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS62WV1288 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS45S32400F-6TLA2 | 8.2446 | ![]() | 1104 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43LQ32640AL-062TBLI-TR | 9.2036 | ![]() | 4854 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32640AL-062TBLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS61LF102418A-7.5B3I-Tr | - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LF102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43DR82560C-3DBL | 9.8300 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1571 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS42S16100F-6TLI | - | ![]() | 3940 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S32400B-7B-Tr | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS34MW02G084-Bli-Tr | 4.3621 | ![]() | 4179 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS34MW02G084-Bli-Tr | 2,500 | 非易失性 | 2Gbit | 30 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | IS66WVO8M8DBLL-166Bli | 4.5800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS66WVO8M8 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS66WVO8M8DBLL-166BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | PSRAM | 8m x 8 | spi -octal I/o | 36ns | ||
![]() | IS43R83200D-6TLI-TR | 5.5720 | ![]() | 6282 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R83200 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
IS64C25616AL-12CTLA3 | 10.1940 | ![]() | 6242 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS64C25616 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | IS43LD32320A-25BLI | - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD32320 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1357 | Ear99 | 8542.32.0002 | 171 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
IS61C6416AL-12TI-TR | - | ![]() | 4435 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61C6416 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | IS42SM16400M-75BLI | 3.0706 | ![]() | 5473 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42SM16400 | sdram-移动 | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||
IS62WV5128DBLL-45BLI | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS42VM16160D-8TLI | - | ![]() | 1948年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42VM16160 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 125 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42SM32800D-75BLI | - | ![]() | 4084 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32800 | sdram-移动 | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - |
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