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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS43DR86400E-3DBLI	6.7700	RFQ	5	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR86400	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1561	Ear99	8542.32.0028	242	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS61LV6416-10T	-	RFQ	9389	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV6416	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS42R32800J-7TLI	-	RFQ	1889年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的				IS42R32800				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240
IS42SM16800G-75BI	-	RFQ	5805	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46DR16640C-3DBLA2	6.6880	RFQ	7087	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	209	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S32800D-7TL-Tr	-	RFQ	7773	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42S32200L-6BI	-	RFQ	2608	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61DDB24M18A-300M3L	74.4172	RFQ	6619	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB24	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	105	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
IS42S16400J-7TLI	2.0300	RFQ	7681	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS65WV102416EBLL-55BLA3	9.6935	RFQ	6435	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS65WV102416EBLL-55BLA3			480		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS49NLC36800-25BI	-	RFQ	8343	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
IS42S32800D-7BL-TR	-	RFQ	9638	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS63LV1024-10J	-	RFQ	7385	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	22		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR	12.0000	RFQ	7651	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS43DR16640A-3DBL	-	RFQ	8828	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-twbga（8x13.65）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46DR16128C-3DBLA1-Tr	12.4800	RFQ	6571	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43DR16160B-37CBL-TR	2.8153	RFQ	8144	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	266 MHz	易挥发的	256Mbit	500 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS46TR16256B-107MBLA1	8.8181	RFQ	9446	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16256B-107MBLA1			190	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS42S32200C1-55TL-Tr	-	RFQ	8928	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	183 MHz	易挥发的	64mbit	5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61WV102416BLL-10MI	-	RFQ	4636	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV102416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	220		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
IS34MW04G084-TLI-TR	8.4321	RFQ	4704	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34MW04	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Gbit	45 ns	闪光	512m x 8	平行线	45ns
IS66WVO8M8DBLL-166Bli	4.5800	RFQ	49	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVO8M8	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVO8M8DBLL-166BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	166 MHz	易挥发的	64mbit		PSRAM	8m x 8	spi -octal I/o	36ns
IS21TF128G-JCLI	66.7335	RFQ	6275	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS21TF128G-JCLI			152	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC_5.1	-
IS43QR85120B-083RBL	9.8483	RFQ	1053	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-083RBL			136	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
IS64LF102436B-7.5TQLA3-Tr	116.5500	RFQ	3458	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LF102436	sram-异步	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	36mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS42S16320B-6TL	-	RFQ	2870	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS65WV25616EBLL-55CTLA3	-	RFQ	1996	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS65WV25616	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS64LPS102436B-166TQLA3-TR	116.5500	RFQ	9650	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LPS102436	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS41LV16105B-50TL	-	RFQ	3897	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42VM16160E-6BLI	-	RFQ	5436	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16160	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²