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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS43TR81024BL-107MBL	21.5163	RFQ	7325	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024BL-107MBL			136	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS42S32800J-7BL	7.4900	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR	6.6840	RFQ	4861	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR			2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS42SM16200D-6BLI-TR	2.2004	RFQ	4875	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16200	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	-
IS25LE01G-RIL-Tr	11.3848	RFQ	2500	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-LBGA		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	24-LFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LE01G-RIE-TR			2,500	133 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS49NLS93200-25B	-	RFQ	8248	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
IS43TR82560D-107MBLI-TR	4.4619	RFQ	3038	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR82560D-107MBLI-TR			2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS61DDPB22M36A-400M3L	105.0000	RFQ	4427	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDPB22	sram-同步，ddr iip	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS62WV51216BLL-55BLI	7.7900	RFQ	6275	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-Minibga（7.2x8.7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	312		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS62WV25616BLL-55TI-TR	-	RFQ	8017	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	3.5165	RFQ	8502	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S83200J-6TLI	3.4679	RFQ	6835	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS25LQ016B-JKLE	-	RFQ	2832	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1333	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS22TF32G-JQLA1-TR	36.4420	RFQ	6223	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF32G-JQLA1-TR			1,000	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC_5.1	-
IS43QR85120B-083RBLI-TR	9.5494	RFQ	3476	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-083RBLI-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
IS61WV204816ALL-12BLI	19.4731	RFQ	5053	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV204816ALL-12BLI			480		易挥发的	32Mbit	12 ns	SRAM	2m x 16	平行线	12ns
IS46TR16128BL-125KBLA1-TR	-	RFQ	4258	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43LQ16128AL-062BLI-TR	-	RFQ	6849	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16128AL-062BLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
IS41LV16105B-60TL	-	RFQ	7481	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	30 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61LPS51236A-200TQLI-TR	-	RFQ	7833	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS64LV25616AL-12TA3	-	RFQ	9400	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
IS66WV25616BLL-55TLI	-	RFQ	9585	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV25616	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	55 ns	PSRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR	3.8489	RFQ	6183	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR			2,500		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
IS65WV1288FBLL-55CTLA3	-	RFQ	3333	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS65WV1288	sram-同步	2.2v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3	Ear99	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS42S16800D-7B	-	RFQ	7291	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-Minibga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS25LQ080B-JBLE	-	RFQ	3862	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ080	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1329	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS61LPS25618A-200TQI	-	RFQ	6316	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS43R16800E-5TL-Tr	2.2369	RFQ	9306	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	200 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
IS43TR81024B-125KBLI-TR	20.9076	RFQ	4867	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-125KBLI-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS25LQ025B-JBLE-TR	-	RFQ	9013	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²