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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS42VM16320E-6BLI | 8.6117 | ![]() | 6990 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16320 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S32200E-7TL | - | ![]() | 1585年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61LF51236A-7.5B3LI-Tr | - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46R16320D-5TLA1-Tr | 9.1050 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
IS62WV12816BLL-45TLI-TR | 2.9945 | ![]() | 7008 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV12816 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS25LP032D-JTLA3-TR | 1.1525 | ![]() | 8519 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-uson (4x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP032D-JTLA3-TR | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA25 | 7.0633 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS42SM32200M-6BLI | 3.4978 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS21ES08G-JQLI | - | ![]() | 3734 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21ES08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS42S16160J-7BLI-TR | 2.9626 | ![]() | 4752 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
IS43LR16800F-6BL-TR | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43LR16800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS25WQ040-JKLE | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25WQ040 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 1ms | |||
![]() | IS61LPS102418B-200B3LI | 16.3574 | ![]() | 1593年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - |
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