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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS46TR16256B-125KBLA2	9.6817	RFQ	8818	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16256B-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS61NVF102418-6.5B3	-	RFQ	4874	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS43TR82560DL-107MBL-TR	4.1340	RFQ	6752	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR82560DL-107MBL-TR			2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS25WJ032F-JNLE-TR	0.7291	RFQ	4029	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WJ032F-JNLE-TR			3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1.6ms
IS46TR16256B-107MBLA2	10.1514	RFQ	8628	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16256B-107MBLA2			190	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS42S16400D-6BL-TR	-	RFQ	2162	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	60 minibga（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS43LR32320C-5BLI	8.9852	RFQ	2599	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32320C-5BLI			240	208 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	14.4ns
IS42SM16800G-75BLI	-	RFQ	2094	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS43DR16160A-3DBI-Tr	-	RFQ	9790	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS64WV25616EDBLL-10BA3	-	RFQ	9888	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS64WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS63LV1024L-10T	-	RFQ	4521	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	117		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS43TR16256BL-125KBL-TR	5.6308	RFQ	6065	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16256BL-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS42S16160G-6TL	3.7208	RFQ	6720	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS49NLC96400-25BL	-	RFQ	4659	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS25LQ025B-JNLE	-	RFQ	8020	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1328	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS61LPS25618EC-200TQLI	7.5262	RFQ	4450	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IS49NLC36800A-25WBLI	30.5534	RFQ	1005	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36800A-25WBLI			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	HSTL	-
IS64LPS102436B-166B3LA3-TR	125.8600	RFQ	6729	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS64LPS102436	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS45S16800F-7BLA1	4.9765	RFQ	3305	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS42S32800D-7BLI	-	RFQ	5268	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS41C16100C-50TLI	-	RFQ	1478	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），44条线索	IS41C16100	戏剧性	4.5V〜5.5V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42SM32200K-6BLI-TR	-	RFQ	4910	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32200	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43TR16128B-15HBL-Tr	-	RFQ	4929	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43LD16128C-25BLI-TR	-	RFQ	6441	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD16128C-25BLI-TR			2,000	400 MHz	易挥发的	2Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 16	HSUL_12	15ns
IS45S16320F-6BLA1-Tr	13.0500	RFQ	9168	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS61NLP25636A-200B3LI	15.5879	RFQ	9730	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS46LD32128C-25BPLA1	-	RFQ	3130	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-25BPLA1	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS42S32800D-7B	-	RFQ	7843	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42S16800D-75ETLI	-	RFQ	6290	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	133 MHz	易挥发的	128mbit	6.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46TR16128B-15HBLA2	-	RFQ	5762	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²