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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61NLF51236B-7.5TQLI-Tr	-	RFQ	7656	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43R16160B-5TLI-Tr	-	RFQ	4848	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS49NLS18320A-18WBLI	57.2059	RFQ	2070	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS18320A-18WBLI			104	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	HSTL	-
IS42S16160D-6BLI-TR	-	RFQ	1702	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43TR16640C-125JBL-Tr	2.7298	RFQ	7705	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640C-125JBL-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS41LV16100C-50TI-Tr	-	RFQ	1194	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），44条线索	IS41LV16100	戏剧性	2.97v〜3.63V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	85ns
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR	3.0653	RFQ	5994	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	1.7v〜1.95v，2.7v〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR			2,500	100 MHz	易挥发的	64mbit	40 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	40ns
IS61QDP2B22M36A1-333B4L	105.0000	RFQ	9025	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDP2	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS62WV102416DBLL-55TLI	9.0290	RFQ	7208	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS62WV102416	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	96		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS62WV51216BLL-55BI-TR	-	RFQ	9491	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS43R16320D-6BL	8.0052	RFQ	1234	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS46TR81024BL-107MBLA1	26.9088	RFQ	2822	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（10x14）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR81024BL-107MBLA1			136	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS62WVS5128GBLL-45NLI	4.2821	RFQ	2843	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		sram-同步	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128GBLL-45NLI			100	45 MHz	易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS43LD16256C-18BPLI	-	RFQ	5482	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD16256	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD16256C-18BPLI	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	256m x 16	HSUL_12	15ns
IS25LQ010B-JDLE-TR	-	RFQ	2223	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ010	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	104 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS62C10248AL-55TLI	10.5176	RFQ	1108	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62C10248	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	1m x 8	平行线	55ns
IS61NLP102418-200B3I-Tr	-	RFQ	4504	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS42S32800J-6BL-TR	5.4750	RFQ	7114	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS25CD010-JNLE	-	RFQ	2931	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25CD010	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	100 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	5ms
IS25LP064-JKLE	-	RFQ	8223	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LP064	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
IS62WV102416BLL-25MLI-TR	18.5250	RFQ	9566	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV102416	sram-异步	1.65V〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16mbit	25 ns	SRAM	1m x 16	平行线	25ns
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR	2.2334	RFQ	3816	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
IS43LR16400B-6BLI	-	RFQ	1855年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
IS42VM16320E-6BLI	8.6117	RFQ	6990	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16320	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	348	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS42S32200E-7TL	-	RFQ	1585年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61LF51236A-7.5B3LI-Tr	-	RFQ	6602	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS46R16320D-5TLA1-Tr	9.1050	RFQ	3747	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS62WV12816BLL-45TLI-TR	2.9945	RFQ	7008	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
IS25LP032D-JTLA3-TR	1.1525	RFQ	8519	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-uson （4x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP032D-JTLA3-TR			5,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS46TR16128C-125KBLA25	7.0633	RFQ	4324	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16128C-125KBLA25			190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²