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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS25CQ032-JFLE	-	RFQ	3567	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25CQ032	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	4ms
IS61QDPB42M36A-400M3L	100.1770	RFQ	4076	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS49NLC36160A-25EWBLI	54.4856	RFQ	6084	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36160A-25EWBLI			104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 36	HSTL	-
IS42S16400J-7BL-TR	1.6544	RFQ	9319	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS42S16800E-7TL-Tr	-	RFQ	8152	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS42VS16100C1-10TL-Tr	-	RFQ	6253	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42VS16100	Sdram	1.7V〜1.9V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	16mbit	7 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS64WV6416EEBLL-10BLA3	3.9922	RFQ	2256	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV6416EEBLL-10BLA3			480		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS42S16160J-7BLI	3.9100	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42VM16200D-75BLI	2.5287	RFQ	3029	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16200	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	32Mbit	6 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	-
IS61NLF25636B-7.5TQLI	13.7940	RFQ	2597	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS43TR16256AL-15HBL	-	RFQ	9963	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS64LF25636B-7.5B3LA3-Tr	17.6890	RFQ	8400	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64LF25636B-7.5B3LA3-Tr			2,000	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS25LP256D-RGLE	-	RFQ	4994	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LP256	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	256Mbit	7 ns	闪光	32m x 8	系列	800µs
IS61LPS25636A-200TQ2I-Tr	-	RFQ	5305	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS25WQ020-JNLE-TR	-	RFQ	1498年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25WQ020	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	1ms
IS42SM16160K-6BLI-TR	5.2523	RFQ	6058	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16160	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS25LP032D-JBLA3-TR	1.1438	RFQ	7180	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP032D-JBLA3-TR			2,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS43TR16640CL-107MBLI-TR	3.4391	RFQ	3194	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640CL-107MBLI-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43R83200D-6TL	5.1536	RFQ	6514	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R83200	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
IS42S32160B-75BLI	-	RFQ	2177	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-LFBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS43DR16320D-3DBLI	6.0682	RFQ	2487	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS61WV6416BLL-12KLI-TR	2.1753	RFQ	5718	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61WV6416	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
IS46R16320E-6TLA1-Tr	6.9878	RFQ	7283	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS61WV6416EEBLL-8TLI	2.3255	RFQ	6337	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV6416EEBLL-8TLI			135		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	64k x 16	平行线	8ns
IS66WVS1M8BLL-104NLI	2.8500	RFQ	335	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS66WVS1M8	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVS1M8BLL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100	104 MHz	易挥发的	8mbit	7 ns	PSRAM	1m x 8	SPI，QPI	-
IS42S16800D-6T-TR	-	RFQ	6627	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS43DR81280C-3DBLI-TR	5.1914	RFQ	3636	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS61C1024AL-12TI-TR	-	RFQ	1400	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS61C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS42SM32400G-6BLI-TR	-	RFQ	7862	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32400	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42S32400B-7TI-TR	-	RFQ	8116	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²