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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS42SM16320E-6Bli-Tr	10.5750	RFQ	6946	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16320	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS61VPD102418A-200B3I-Tr	-	RFQ	5866	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPD102418	sram-四边形端口，同步	2.375V〜2.625V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS49RL36320-093EBLI	129.6426	RFQ	4657	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL36320-093EBLI			119	1.066 GHz	易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	32m x 36	平行线	-
IS62WV25616EBLL-45B2LI	3.9433	RFQ	2774	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV25616EBLL-45B2LI			480		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS43LD32128A-25BPL	-	RFQ	6536	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128A-25BPL	过时的		1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS42S32800B-6BL-TR	-	RFQ	5670	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS49NLS93200-25BL	-	RFQ	4450	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
IS45S16100H-7BLA2-Tr	3.3391	RFQ	5910	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS45S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43TR85120A-125KBLI-TR	-	RFQ	4878	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS42S32160F-75ETLI	13.9336	RFQ	4764	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS43TR85120BL-125KBLI	11.2800	RFQ	400	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120BL-125KBLI	Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS42S16100H-7BLI	1.5256	RFQ	8442	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	286	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS62WV25616DBLL-45TI-TR	-	RFQ	8295	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS43LR32160B-6BLI-TR	-	RFQ	3293	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	12ns
IS25WP016-JKLE	-	RFQ	9946	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP016	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	系列	800µs
IS61VPD51236A-200B3I	-	RFQ	6974	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPD51236	sram-四边形端口，同步	2.375V〜2.625V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR	-	RFQ	3316	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS65WV25616	sram-异步	2.3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS45S32800J-7TLA1-Tr	7.0792	RFQ	5130	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS43DR86400E-3DBL-TR	2.4369	RFQ	4670	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR86400E-3DBL-TR			2,000	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	64m x 8	SSTL_18	15ns
IS66WVE4M16BLL-70BLI	-	RFQ	5183	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE4M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	480		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS61LPS12836A-200B2LI	-	RFQ	8636	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BBGA	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS46LQ32640A-062TBLA1-TR	-	RFQ	3094	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640A-062TBLA1-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	lvstl	-
IS43DR81280B-3DBL-TR	4.3541	RFQ	6496	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS46LQ32128A-062TBLA1	-	RFQ	7655	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128A-062TBLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS43QR16512A-083TBLI	18.9660	RFQ	2909	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43QR16512	SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43QR16512A-083TBLI	Ear99	8542.32.0036	136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS62WV25616EALL-55TLI-TR	4.0112	RFQ	1068	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS45S32400E-7TLA1	-	RFQ	9982	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS46LR16320B-6BLA1	-	RFQ	1745年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	300	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	12ns
IS46TR16640BL-107MBLA1-TR	-	RFQ	4405	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-107MBLA1-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS62WV2568EBLL-45HLI-TR	2.3162	RFQ	9557	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS62WV2568	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²