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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS62WV102416DBLL-45TLI | 11.1800 | ![]() | 9315 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS62WV102416 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 易挥发的 | 16mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | |||
IS43LR16800F-6BLI | - | ![]() | 2913 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43LR16800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 300 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43TR16128DL-107MBL | 6.0700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1722 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |
IS43DR16160A-25EBLI-TR | - | ![]() | 2808 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS42S32200L-7BI-TR | - | ![]() | 2349 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43TR16640B-107MBLI | - | ![]() | 6521 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS62WV5128EALL-55BLI | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS66WVE4M16EBLL-70BLI | 4.7200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1547 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
![]() | IS43QR16512A-083TBLI | 18.9660 | ![]() | 2909 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43QR16512 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43QR16512A-083TBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR | 9.5760 | ![]() | 9697 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS42SM32200M-6BLI-TR | 3.3554 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61WV51216EDALL-20BLI | 12.1000 | ![]() | 9506 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV51216 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 20 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 20NS | |||
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR | 1.7660 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61WV6416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS61VPD102418A-200B3-Tr | - | ![]() | 3860 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPD102418 | sram-四边形端口,同步 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS49NLC18320A-25EWBL | 49.5275 | ![]() | 3618 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC18320A-25EWBL | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | HSTL | - | ||||
![]() | IS21ES04G-JCLI | - | ![]() | 7466 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21ES04 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1640 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS65WV1288FBLL-45HLA3 | - | ![]() | 8891 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS65WV1288 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
IS46DR16320E-3DBLA2 | 5.8923 | ![]() | 2259 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 450 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS64LV25616AL-12BLA3-TR | 9.5250 | ![]() | 8955 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS64LV25616 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 48-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | IS61LPS102418B-200B3LI | 16.3574 | ![]() | 1593年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LP016D-JMLE-TY | 0.9124 | ![]() | 8046 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP016D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 7 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||
![]() | IS43TR82560D-107MBL | 4.6106 | ![]() | 6114 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | IS43TR82560 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Q12358570 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | |||||||||||||||
![]() | IS61LPD102418A-200B3I | - | ![]() | 5704 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPD102418 | sram-四边形端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
IS61LV12816L-10TLI-TR | - | ![]() | 9784 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV12816 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS61WV102416DALL-10BLI-TR | - | ![]() | 4342 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV102416 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-Minibga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS46LQ32256A-062BLA2-TR | 23.4080 | ![]() | 3604 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32256A-062BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS41C16100C-50KLI | - | ![]() | 4182 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 42-BSOJ(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS41C16100 | 戏剧性 | 4.5V〜5.5V | 42-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 16 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS25WP128F-JLLE | 2.1987 | ![]() | 1451 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP128F-JLLE | 480 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||
![]() | IS42S16400J-7TL | 1.8300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43R86400F-6Bli-Tr | 5.6250 | ![]() | 8113 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns |
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