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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS62WVS5128GALL-30NLI	4.5292	RFQ	1307	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		sram-同步	1.65V〜2.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128GALL-30NLI			100	30 MHz	易挥发的	4Mbit	23 ns	SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS46LQ32128AL-062BLA2	-	RFQ	2605	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128AL-062BLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS42RM16200C-75BLI-TR	-	RFQ	3122	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42RM16200	sdram-移动	2.3v〜2.7V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	32Mbit	6 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	-
IS42S16320B-6BL	-	RFQ	9188	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS61LV51216-10TLI-TR	-	RFQ	6189	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV51216	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS42S16320F-6BLI	11.9356	RFQ	3137	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS43LD32320D-18Bli-Tr	6.7165	RFQ	2566	ISSI，综合硅解决方案	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD32320D-18BLI-TR			2,000
IS46DR81280B-3DBLA2-TR	-	RFQ	3355	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS25WP512M-RMLE-TR	6.9993	RFQ	8481	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RMLE-TR			1,000	112 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS25LQ020A-JNLE	-	RFQ	5822	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	400µs
IS42S81600D-7TL	-	RFQ	9643	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S81600	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	-
IS62WV51216EBLL-45BLI	6.5500	RFQ	10	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
IS45S16400F-6TLA1	-	RFQ	3954	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS29GL256-70FLET-TR	5.0853	RFQ	7391	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA		闪存-SLC）	3v〜3.6V	64-LFBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL256-70FLET-TR			2,000		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8	CFI	70ns，200µs
IS49RL18320-093BL	-	RFQ	5897	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	168-LBGA	IS49RL18320	德拉姆	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	119	1.066 GHz	易挥发的	576Mbit	10 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS42S16160B-7BI	-	RFQ	7061	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-LFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61WV6416DBLL-10BLI-TR	2.4716	RFQ	4967	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV6416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS43R16160D-6TLI	3.9014	RFQ	1732年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR	2.2588	RFQ	3958	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS62WVS1288	sram-同步，sdr	2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	3,000	20 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR	3.4373	RFQ	5099	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	IS66WVC2M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
IS42SM16800H-6BLI-TR	4.1257	RFQ	2686	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS41LV16105B-50KL	-	RFQ	4610	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	16		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61C1024AL-12TI	-	RFQ	1769年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS61C1024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS42S16800E-7BLI	-	RFQ	8621	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS62WV5128DBLL-45BI	-	RFQ	3994	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS62WV5128	sram-异步	2.3v〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
IS42S83200J-7TL-Tr	2.7298	RFQ	1964年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS43TR85120BL-125KBL-TR	5.7021	RFQ	4497	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120BL-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS43TR85120AL-107MBLI-TR	-	RFQ	9608	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120AL-107MBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS25WP016-JKLE-TR	-	RFQ	6410	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP016	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,500	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	系列	800µs
IS61NLF25636A-7.5TQI-Tr	-	RFQ	9883	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²