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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS43DR16640B-3DBLI	8.9400	RFQ	209	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1277	Ear99	8542.32.0032	209	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LR16640A-5BLI	10.3648	RFQ	1720年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16640	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-twbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	300	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS25WP016D-JMLE-TR	0.8263	RFQ	5534	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25WP016	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS61LPS12836EC-200TQLI-TR	6.8099	RFQ	2362	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS43DR16640B-25DBI	-	RFQ	4344	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43DR16640B-25DBI	过时的		209	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LR16320C-6BLI-TR	6.5100	RFQ	7351	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS42S16100C1-5T	-	RFQ	6305	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117	200 MHz	易挥发的	16mbit	5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS25LQ040B-JKLE	-	RFQ	8673	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ040	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1315	Ear99	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS42S16160D-75EBL-TR	-	RFQ	2800	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS25WP080D-JNLE-TR	0.5836	RFQ	7686	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WP080	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	133 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS45S32800J-7TLA1	7.9025	RFQ	5132	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS42S32200E-7TL	-	RFQ	1585年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43TR16128AL-15HBLI-TR	-	RFQ	7263	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43DR16128B-3DBLI	-	RFQ	10000	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TW-BGA（10.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	162	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42VS16100C1-10TL	-	RFQ	9811	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42VS16100	Sdram	1.7V〜1.9V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117	100 MHz	易挥发的	16mbit	7 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS62WV25616DALL-55BI	-	RFQ	8633	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS43LD32640B-25BL-TR	9.1350	RFQ	7997	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	400 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS42S16800E-6BL	-	RFQ	7063	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS25LP040E-JNLA3	0.5163	RFQ	5187	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP040E-JNLA3			100	104 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，1.2ms
IS62WV51216EALL-55TLI-TR	4.9550	RFQ	5796	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV51216	sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS42VM16800G-6BL-TR	-	RFQ	2509	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS43R86400F-5TLI	7.6300	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1553	Ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS43TR16640C-125JBLI	4.4000	RFQ	186	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640C-125JBLI	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S32200L-7BL-TR	3.7974	RFQ	1798年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61LF51218A-7.5TQI-Tr	-	RFQ	7300	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF51218	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS66WVS2M8BLL-104NLI	3.3300	RFQ	390	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS66WVS2M8	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVS2M8BLL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100	104 MHz	易挥发的	16mbit	7 ns	PSRAM	2m x 8	SPI，QPI	-
IS62WV102416GALL-55TLI-TR	8.7750	RFQ	2636	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS62WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS42S86400F-7TL-Tr	10.9500	RFQ	6137	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS43LD16128B-18BL	10.5339	RFQ	1206	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD16128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	171	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61LPS12836A-250TQL-TR	7.5837	RFQ	6735	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	250 MHz	易挥发的	4.5mbit	2.6 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²