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![]() | IS25WP064D-JKLE | 1.3884 | ![]() | 1154 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP064D-JKLE | 570 | 166 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||
![]() | IS61DDPB42M18A-400M3L | 71.5551 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61DDPB42 | sram-同步,ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||
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![]() | IS65LV256AL-45TLA3 | 2.9235 | ![]() | 4747 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | IS65LV256 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 256kbit | 45 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS61LV12816L-10BI-Tr | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61LV12816 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS25LP256E-JLLA3-Tr | 3.9524 | ![]() | 9455 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP256E-JLLA3-TR | 4,000 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6.5 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||
![]() | IS42VM16800G-6BL | - | ![]() | 9531 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16800 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
IS66WV51216EBLL-55TLI | 3.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS66WV51216 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | PSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS34ML01G081-TLI-TR | 3.6841 | ![]() | 7248 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS34ML01 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 1Gbit | 25 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||
![]() | IS45S16400J-7BLA1 | 3.9737 | ![]() | 9479 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - |
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