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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL 5.8712
RFQ
ECAD 6958 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS42S16160J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BLI 3.2873
RFQ
ECAD 4525 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42SM32800D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BLI-TR -
RFQ
ECAD 2119 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42SM32800 sdram-移动 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43R32160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BLI-TR -
RFQ
ECAD 7485 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-LFBGA IS43R32160 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 144-LFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
IS46TR16128C-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-15HBLA2 7.1113
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42RM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800K-75BLI 5.8888
RFQ
ECAD 4512 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42RM32800 sdram-移动 2.3V〜3V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS65LV256AL-45TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65LV256AL-45TLA3 2.9235
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) IS65LV256 sram-异步 3v〜3.6V 28-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 234 易挥发的 256kbit 45 ns SRAM 32K x 8 平行线 45ns
IS25WP032-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032-JBLE-TR -
RFQ
ECAD 8190 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS61WV20488BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488BLL-10TLI-TR 18.0000
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV20488 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 平行线 10NS
IS49NLC36800-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25B -
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
IS61NVP102418-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-250B3I-Tr -
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVP102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS25WP032A-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JLLE-TR -
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S32160B-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BL-Tr -
RFQ
ECAD 6147 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-LFBGA(13x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR 3.4373
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WVE2M16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 32Mbit 70 ns PSRAM 2m x 16 平行线 70NS
IS63LV1024L-12J ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12J -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS63LV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 22 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
IS45S16400F-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-6TLA1 -
RFQ
ECAD 3954 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS42S16100F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 1025 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61QDPB42M36A1-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-500B4LI 117.1779
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61LPS51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200TQLI -
RFQ
ECAD 5288 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS65WV102416DBLL-55CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416DBLL-55CTLA3-TR 9.5667
RFQ
ECAD 3902 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS65WV102416 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 平行线 55ns
IS66WV1M16DBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-55BLI -
RFQ
ECAD 7431 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV1M16 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 55 ns PSRAM 1m x 16 平行线 55ns
IS45S32800J-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-6BLA1-Tr 7.8150
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS43DR16160A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBL-TR -
RFQ
ECAD 6976 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 易挥发的 256Mbit 450 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS62WV25616DALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TLI -
RFQ
ECAD 9279 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBLI -
RFQ
ECAD 6041 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS43DR81280B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL 5.0116
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS43TR82560B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBLI-TR -
RFQ
ECAD 1640年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS61NLP102418-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3LI -
RFQ
ECAD 7907 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS63LV1024-12KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12KL -
RFQ
ECAD 9209 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) IS63LV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 21 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
IS25LQ032B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JBLE -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25LQ032 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1335 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 1ms
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