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![]() | IS46TR85120BL-125KBLA2-TR | - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR85120BL-125KBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |
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![]() | IS62WV5128DBLL-45TLI | - | ![]() | 7184 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS46LQ32256A-062BLA1 | 22.5750 | ![]() | 8978 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32256A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS61LF25618EC-7.5TQLI | 7.5262 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LF25618 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16100F-7BL | - | ![]() | 8050 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-TFBGA(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61LPS12836A-200B2I | - | ![]() | 9859 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BBGA | IS61LPS12836 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62WV25616EBLL-45BLI | 3.6600 | ![]() | 930 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS61WV12824-8BL-TR | 8.2500 | ![]() | 1872年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BBGA | IS61WV12824 | sram-异步 | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 3Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 24 | 平行线 | 8ns | |||
![]() | IS61C1024AL-12KLI-TR | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS61C1024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | IS43TR85120AL-125KBL-TR | - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(9x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS25LQ040B-JNLE-TR | - | ![]() | 8254 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ040 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |||
![]() | IS43DR82560C-25DBL | 9.8300 | ![]() | 242 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1570 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns |
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