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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS49NLS96400A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-25WBLI 51.8860
RFQ
ECAD 9897 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLS96400A-25WBLI 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 9 HSTL -
IS43TR16512A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-15HBL -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 136 667 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS66WVE1M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-55BLI -
RFQ
ECAD 9991 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 55 ns PSRAM 1m x 16 平行线 55ns
IS43LQ32256AL-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32256AL-062BLI-TR 19.8968
RFQ
ECAD 1551年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LQ32256AL-062BLI-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 3.5 ns 德拉姆 256m x 32 lvstl 18NS
IS42S16400F-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7TLI -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS45S16160G-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-6CTLA1 6.8591
RFQ
ECAD 9800 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42SM32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32100D-6BLI-TR 2.1838
RFQ
ECAD 6510 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42SM32100 sdram-移动 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 32Mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 32 平行线 -
IS25LP512M-RMLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RMLA3 -
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP512M-RMLA3 过时的 1 133 MHz 非易失性 512Mbit 7 ns 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS61NLF51236-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLF51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43R32160D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BL-TR -
RFQ
ECAD 4141 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-LFBGA IS43R32160 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 144-LFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
IS25LD040-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JNLE -
RFQ
ECAD 2228 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LD040 闪光 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 5ms
IS43TR82560B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL-Tr -
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS42S16100F-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BL -
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61NVP51236-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3 -
RFQ
ECAD 2690 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVP51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS62WV102416GALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GALL-55TLI-TR 8.7750
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS62WV102416 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 平行线 55ns
IS42S32800G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BL 6.9670
RFQ
ECAD 3519 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS25LP256H-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-RHLE-Tr 3.4791
RFQ
ECAD 7285 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP256H-RHLE-TR 2,500 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS61QDP2B251236A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B251236A-333M3L 45.0000
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDP2 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS25LX064-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLE 2.6900
RFQ
ECAD 1792年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25LX064 闪光 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LX064-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 spi -octal I/o -
IS62WV5128DBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45QLI -
RFQ
ECAD 9248 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) IS62WV5128 sram-异步 2.3v〜3.6V 32 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS41LV16100B-60TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TLI-Tr -
RFQ
ECAD 4460 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS41LV16100 戏剧性 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 易挥发的 16mbit 30 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS42S32400B-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7B -
RFQ
ECAD 1378 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS43LQ16256AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256AL-062TBLI 13.0470
RFQ
ECAD 7843 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LQ16256AL-062TBLI 136 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 lvstl -
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5B2I-Tr -
RFQ
ECAD 4611 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BBGA IS61NLF25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS43TR16256BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-107MBL-TR 7.5109
RFQ
ECAD 1188 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16256BL-107MBL-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS46LD32128B-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA1-TR -
RFQ
ECAD 8631 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32128B-18BPLA1-TR Ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS61WV102416FALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FALL-20BLI 9.5225
RFQ
ECAD 5187 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV102416FALL-20BLI 480 易挥发的 16mbit 20 ns SRAM 1m x 16 平行线 20NS
IS49NLC93200A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25EWBL 29.0237
RFQ
ECAD 8427 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC93200A-25EWBL 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 15 ns 德拉姆 32m x 9 HSTL -
IS42S32200L-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6B-Tr -
RFQ
ECAD 5000 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS42VM16160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160E-75BLI-Tr -
RFQ
ECAD 3339 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42VM16160 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
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