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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS42S16160J-7BLI-TR | 2.9626 | ![]() | 4752 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS64LF12836EC-7.5B3LA3-Tr | 10.8000 | ![]() | 2084 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS64LF12836 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
IS62WV51216EBLL-45TLI | 6.1500 | ![]() | 610 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV51216 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS25WQ020-JNLE-TR | - | ![]() | 1498年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25WQ020 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi | 1ms | |||
![]() | IS63LV1024L-10HL | - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS42VM16800E-75BLI | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16800 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS41LV16100B-60KLI | - | ![]() | 2653 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 42-BSOJ(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS41LV16100 | 戏剧性 | 3v〜3.6V | 42-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 16 | 易挥发的 | 16mbit | 30 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS43TR81280BL-107MBLI-TR | 5.3868 | ![]() | 5047 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16512BL-125KBL | 24.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1658 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | - | |
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA2-TR | 3.7706 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640CL-107MBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |
IS61LV12816L-8TL | - | ![]() | 5609 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV12816 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 2Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 8ns | ||||
![]() | IS25LE256E-RMLE-TR | 3.9621 | ![]() | 1351 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LE256E-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||
![]() | IS43TR82560B-15HBLI | - | ![]() | 2328 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16640C-125JBLA2-TR | 3.7412 | ![]() | 2384 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640C-125JBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS61VF51236A-7.5TQLI-Tr | - | ![]() | 2527 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61VF51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS66WVE2M16DBLL-70BLI | - | ![]() | 8119 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | IS43TR16128C-125KBL-TR | 3.7559 | ![]() | 7115 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43R83200D-6TL-Tr | 4.7033 | ![]() | 6228 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R83200 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46DR81280B-3DBLA2-TR | - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43R16320D-5TLI | 8.3656 | ![]() | 3870 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS42VM16160E-75BLI-Tr | - | ![]() | 3339 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46LD32640B-25BLA1 | - | ![]() | 3793 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 上次购买 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32640B-25BLA1 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
IS61LV25616AL-10KLI | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS61LV25616 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS61WV102416DBLL-10TLI-TR | 10.7100 | ![]() | 6683 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS61WV102416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS46R16320E-6TLA1-Tr | 6.9878 | ![]() | 7283 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS25LQ080-JNLE-TR | - | ![]() | 2085 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ080 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms | |||
![]() | IS34ML01G081-TLI-TR | 3.6841 | ![]() | 7248 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS34ML01 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 1Gbit | 25 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||
![]() | IS43TR16128B-107MBL | - | ![]() | 1262 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 195 PS | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA2 | 7.7423 | ![]() | 5241 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS41LV16105D-50TLI-TR | 5.3797 | ![]() | 1138 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽),44条线索 | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - |
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