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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS62WV12816FBLL-45TLI	1.6913	RFQ	1412	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV12816FBLL-45TLI			135		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	128K x 16	平行线	45ns
IS61WV6416DBLL-10TLI	2.4900	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV6416	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS62WV5128BLL-55HI-Tr	-	RFQ	5559	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS62WV5128	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS61LPS409618B-200TQLI	119.2125	RFQ	9986	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS409618	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	72Mbit	3.1 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR	7.0200	RFQ	7765	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS61NLP51236-250TQLI	-	RFQ	3504	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS41LV16100D-50TLI	5.8058	RFQ	8653	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），44条线索	IS41LV16100	戏剧性	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42S16100C1-7BL-TR	-	RFQ	4104	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS25LD020-JNLE-TR	-	RFQ	9489	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LD020	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	100 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	5ms
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR	10.0200	RFQ	4794	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS61WV102416	sram-双端口，异步	2.4v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	8 ns	SRAM	1m x 16	平行线	8ns
IS61WV25616BLL-10TLI	3.8600	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS62WV6416DBLL-45TLI	-	RFQ	4579	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV6416	sram-异步	2.3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	45 ns	SRAM	64k x 16	平行线	45ns
IS46TR81024B-125KBLA1-TR	22.9824	RFQ	5510	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR81024B-125KBLA1-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS46R86400D-6BLA1-Tr	9.3450	RFQ	9722	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46R86400	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS43LR32800H-6BL	5.0865	RFQ	9645	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32800H-6BL			240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	lvcmos	15ns
IS25LQ020A-JNLE-TR	-	RFQ	7050	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	400µs
IS46TR16256ECL-125LB2LA2	-	RFQ	6142	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	-	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16256ECL-125LB2LA2			136	800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
IS43TR16640B-125KBLI	-	RFQ	5613	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61LPS25636A-200TQI-TR	-	RFQ	8430	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS66WVO16M8DALL-200BLI	5.3800	RFQ	90	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVO16M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVO16M8DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	易挥发的	128mbit		PSRAM	16m x 8	spi -octal I/o	40ns
IS25LQ512B-JKLE-TR	-	RFQ	7507	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,500	104 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS43DR16640B-3DBLI	8.9400	RFQ	209	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1277	Ear99	8542.32.0032	209	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42VM32160E-75BLI	9.1192	RFQ	1440	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32160	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS61NVP51236-200B3LI-Tr	-	RFQ	9052	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LPS51218A-200TQLI	15.4275	RFQ	7502	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51218	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS25WX128-JHLE-TR	3.1230	RFQ	8705	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25WX128	闪光	1.7V〜2V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WX128-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi -octal I/o	-
IS46TR16640CL-107MBLA1-TR	3.6095	RFQ	4285	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640CL-107MBLA1-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42VM16400K-75BLI-TR	-	RFQ	5961	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS49NLS93200A-25WBLI	30.5534	RFQ	8935	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS93200A-25WBLI			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	HSTL	-
IS61LPS51236A-250B3I-Tr	-	RFQ	4878	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²